Vishay otrzymuje zgodę od rządu Wielkiej Brytanii
Przejęcie Newport Wafer Fab przez Vishay Intertechnology zostało zatwierdzone przez rząd Wielkiej Brytanii. Decyzja ta zakończyła więc lata niepewności co do losów największej brytyjskiej fabryki.
W listopadzie amerykański gigant elektroniczny Vishay ogłosił, że kupi walijską fabrykę za 177 mln USD i zainwestuje około 1,2 mld USD w ciągu trzech lat, "aby wykorzystać możliwości stworzone przez megatrendy e-mobilności i zrównoważonego rozwoju potrzebne dla gospodarki Net Zero”. Więcej na ten temat Evertiq pisał tutaj: Vishay przejmie Newport Wafer Fab firmy Nexperia.
Transakcja ta wciąż wymagała jednak zgody brytyjskiego gabinetu ds. bezpieczeństwa narodowego. Teraz zaś rząd wydał pozwolenie, by umowa mogła dojść do skutku.
Obserwujemy więc najnowszy rozdział w zawiłej historii, która sięga wielu lat wstecz. Newport Wafer Fab zostało założone w 1982 roku i jest obecnie fabryką płytek półprzewodnikowych 200 mm, która zaopatruje głównie rynki motoryzacyjne. Fabryka ta miała wielu właścicieli, ale jej ostatnim opiekunem była Nexperia — firma z siedzibą w Holandii, ale należąca do Chin.
Chińskie powiązania były źródłem niepokoju dla rządu Wielkiej Brytanii. W 2022 r. nakazał on Nexperii zbycie 86% udziałów po przeprowadzeniu pełnej oceny bezpieczeństwa narodowego.
"Cieszę się, że długo oczekiwana decyzja zezwalająca na przejęcie Newport Waferfab przez Vishay International została właśnie podjęta. Walia wyróżnia się w branży półprzewodników złożonych, oferując ogromne możliwości rozwoju w perspektywie długoterminowej” — skomentował Vaughan Gething, minister gospodarki rządu Wielkiej Brytanii.
Vishay to firma z listy Fortune 1000, która produkuje dyskretne półprzewodniki (diody, prostowniki, tranzystory MOSFET, optoelektronikę i wybrane układy scalone) oraz pasywne komponenty elektroniczne (rezystory, cewki indukcyjne i kondensatory). Firma twierdzi, że jej celem, jeśli chodzi o zakład w Newport, jest zainwestowanie niezbędnego kapitału w celu uruchomienia produkcji tranzystorów SiC Trench MOSFET oraz diod.
