Samsung rozpoczął produkcję w 3 nm
Koreański Samsung ogłosił dziś, że rozpoczął już wstępną produkcję układów scalonych w technologii 3 nm wykorzystującej architekturę tranzystorową Gate-All-Around (GAA).
Nowy proces produkcyjny został wdrożony w fabryce Samsunga w Hwaseong w Korei Południowej.
Nowa 3 nm technologia GAA Samsunga pod nazwą MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) charakteryzuje się znaczną poprawą wydajności w porównaniu ze stosowaną dotychczas FinFET.
– Zoptymalizowany proces 3 nm zapewnia 45% mniejsze zużycie energii, 23% lepszą wydajność i 16% mniejszą powierzchnię w porównaniu do procesu 5 nm – pisze Samsung w komunikacie.
Firma zapowiada, że proces 3 nm drugiej generacji umożliwi zmniejszenie zużycia energii nawet o 50%, poprawę wydajności o 30% i zmniejszenie powierzchni o 35%.
Obecnie chipy Samsunga powstające w 3 nm są przeznaczone do wysokowydajnych aplikacji obliczeniowych o niskim poborze mocy, firma planuje rozszerzyć zastosowanie tej technologii na procesory mobilne.
Samsung to największy konkurent giganta kontraktowej produkcji chipów (foundry) – TSMC. Według marcowego rankingu IC Insights uwzględniającego przychody największych firm foundry za 4. kwartał 2021 roku, południowokoreańska firma była druga z przychodami w wysokości 5,54 mld USD (+15,3% kw./kw.) i ponad 18% udziałem w rynku.
