IBM i Samsung ogłaszają przełom w projektowaniu chipów

IBM i Samsung Electronics zaprezentowały nową architekturę układów scalonych opartą o tranzystory VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistor). W odróżnieniu od obecnego standardu FinFET, tranzystory są ułożone prostopadle a nie płasko na powierzchni układu i prąd przepływa przez nie pionowo. Firmy podkreślają, że opracowane przez nie rozwiązanie może umożliwić produkcję znacznie mocniejszych lub oszczędniejszych pod względem zużycia energii urządzeń. Według nich, smartfon napędzany chipami VTFET mógłby działać na jednym ładowaniu nawet ponad tydzień. Nowa technologia znalazłaby też z pewnością zastosowanie w tak energochłonnych aplikacjach, jak kopanie walut czy szyfrowanie danych. Twórcy technologii VTFET zapewniają, że sposób ustawienia tranzystorów pozwala na większy przepływ prądu przy mniejszej ilości marnowanej energii. – Ogólnie rzecz biorąc, nowy projekt ma zapewnić dwukrotną poprawę wydajności lub 85-procentowe zmniejszenie zużycia energii w porównaniu z FinFET – czytamy w komunikacie. Niedawno IBM zaprezentował układ wykonany w procesie 2 nm, zawierający ponad 50 mld tranzystorów upakowanych na chipie wielkości paznokcia. Jednak firmy podkreślają, że architektura VTFET to zupełnie nowe podejście do skalowania produkcji półprzewodników, które może umożliwić kontynuację prawa Moore’a, mówiącego, że liczba tranzystorów w układzie scalonym podwaja się co dwa lata. Ograniczenia fizyczne sprawiają bowiem, że inżynierowie zbliżają się do nieprzekraczalnej bariery w procesie miniaturyzacji. IBM wyprodukował już chipy testowe w procesie VTFET. IBM i Samsung przekazały jeszcze jedną istotną informację dotyczącą współpracy. Otóż koreańska firma będzie produkować chipy IBM w technologii 5 nm. Układy te mają być przeznaczone do własnych platform serwerowych IBM.