reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© NXP Przemysł elektroniczny | 01 października 2020

NXP otworzyło fabrykę układów GaN 5G w USA

NXP Semiconductors ogłosiło wczoraj oficjalne otwarcie nowego zakładu w Chandler, w stanie Arizona. Jak podkreśla firma, jest to najnowocześniejsza fabryka wzmacniaczy mocy RF dla 5G w USA.

– To przełomowy dzień dla NXP. Budując ten niesamowity obiekt i zatrudniając najlepsze talenty w Arizonie, jesteśmy w stanie skupić się na technologii azotku galu (GaN) na potrzeby rozwoju infrastruktury stacji bazowych 5G nowej generacji – powiedział Kurt Sievers, CEO NXP. W nowym zakładzie ruszyła już produkcja próbnych serii, obiekt ma osiągnąć pełny potencjał do końca tego roku. Fabryka korzysta z wafli o rozmiarze 150 mm. W Chandler działa też zespół zajmujący się badaniami i rozwojem, a ścisła współpraca ze znajdującą się na miejscu produkcją, ma umożliwić skrócenie czasu tworzenia i wprowadzania na rynek nowych rozwiązań GaN – informuje NXP. Azotek galu: nowy złoty standard dla 5G Wraz ze standardem 5G, wykładniczo wzrosła wymagana gęstość rozwiązań RF na antenę, ale jednocześnie niezbędne jest utrzymanie tego samego rozmiaru i zmniejszenie zużycia energii. Tranzystory mocy GaN stały się nowym złotym standardem spełniającym te wymagania, zapewniając znaczną poprawę zarówno gęstości mocy, jak i wydajności w porównaniu do krzemu. NXP od prawie 20 lat rozwija technologię azotku galu, koncentrując się na poprawie gęstości mocy, wzmocnienia i wydajności. Firma podjęła decyzję o budowie fabryki GaN, aby osiągnąć wyższe korzyści, opierając się na swoich podstawowych kompetencjach w zakresie projektowanie infrastruktury komórkowej czy wielkoskalowej produkcji. Innowacje NXP w zakresie układów RF mają wspierać rozwój stacji bazowych 5G oraz zaawansowanej infrastruktury telekomunikacyjnej dla przemysłu, lotnictwa i obrony.
reklama
reklama
October 20 2020 19:22 V18.11.10-1