Infineon dostarcza pierwsze produkty z węglika krzemu
Infineon Technologies AG informuje, że poczynił znaczące postępy w realizacji swojej strategii 200 mm węglika krzemu (SiC). Firma dostarczy klientom pierwsze produkty oparte na zaawansowanej technologii 200 mm SiC w pierwszym kwartale 2025 roku.
Produkty wytwarzane w Villach w Austrii oferują najwyższej klasy technologię zasilania SiC do zastosowań wysokonapięciowych, w tym energii odnawialnej, pojazdów elektrycznych, stacji szybkiego ładowania i pociągów. Konwersja zakładu produkcyjnego Infineon w Kulim w Malezji z wafli 150 mm na większe i bardziej wydajne wafle 200 mm również przebiega zgodnie z planem. Nowo wybudowany Moduł 3 rozpocznie produkcję wielkoseryjną zgodnie z warunkami rynkowymi.
„Realizacja naszej produkcji SiC przebiega zgodnie z planem i jesteśmy dumni z pierwszych dostaw do klientów. Stopniowo zwiększając produkcję SiC w Villach i Kulim, poprawiamy efektywność kosztową i nadal zapewniamy jakość produktu. Jednocześnie zapewniamy, że moce produkcyjne zaspokoją popyt na półprzewodniki mocy SiC” - powiedział dr Rutger Wijburg, dyrektor operacyjny Infineon.
Półprzewodniki mocy oparte na SiC mogą przełączać prąd jeszcze wydajniej, są wysoce niezawodne i wytrzymałe w ekstremalnych warunkach oraz umożliwiają jeszcze mniejsze projekty. Dzięki produktom SiC firmy Infineon klienci mogą opracowywać energooszczędne rozwiązania dla pojazdów elektrycznych, stacji szybkiego ładowania i pociągów, a także dla systemów energii odnawialnej i centrów danych AI, pisze firma.
Dostarczenie pierwszych produktów SiC opartych na technologii wafli 200 mm jest ważnym krokiem w mapie drogowej Infineon SiC, aby zapewnić klientom kompleksowe portfolio wysokowydajnych półprzewodników, które umożliwiają zieloną energię i przyczyniają się do redukcji emisji dwutlenku węgla.
Jako „Infineon One Virtual Fab” dla wysoce innowacyjnych technologii szerokopasmowych, zakłady produkcyjne Infineon w Villach i Kulim wykorzystują wspólne technologie i procesy, które umożliwiają szybki wzrost, a także płynną i wysoce wydajną pracę w produkcji SiC i azotku galu (GaN).
