Ceny pamięci NAND i DRAM wzrosną
Najnowsze prognozy Trend Force wykazują, że ceny pamięci DRAM wzrosną w drugim kwartale o 13-18%, z kolei ceny pamięci NAND Flash zostały skorygowane aż o 15-20%. Nieco mniejszy wzrost cen, wynoszący około 10%, zanotują pamięci eMMC/UFS.
Jeszcze przed trzęsieniem ziemi na Tajwanie (3 maja 2024 r.), TrendForce prognozował, że ceny pamięci DRAM wzrosną o ok 3-8%. Natomiast pamięci NAND Flash o 13-18%. Te wzrosty miały być znacząco mniejsze niż w pierwszym kwartale roku. Wynikało to ze wskaźników, które wskazywały na słabnącą dynamikę cen i zmniejszone wolumenu transakcji.
Było to spowodowane przede wszystkim słabym popytem na pamięci poza zastosowaniami z zakresu sztucznej inteligencji. Szczególnie istotny był tu brak oznak ożywienia popytu na sprzedaż notebooków i smartfonów. Poziom zapasów stopniowo rósł, zwłaszcza wśród producentów sprzętu komputerowego. Dodatkowo, wraz ze wzrostem cen pamięci DRAM i NAND Flash przez ostatnie kwartały, wprost proporcjonalnie spadała gotowość kupujących do zaakceptowania dalszych znacznych podwyżek cen.
Wszystko zmieniło się po trzęsieniu ziemi. Pojawiły się sporadyczne doniesienia o dostawcach OEM komputerów PC akceptujących znaczne podwyżki cen kontraktowych pamięci DRAM i NAND Flash. Były to jednak pojedyncze transakcje. Jednak koniec kwietnia - po zakończeniu nowej rundy negocjacji cen kontraktowych - podwyżki były większe niż początkowo oczekiwano.
To skłoniło TrendForce do skorygowania w górę podwyżek cen kontraktowych w II kwartale zarówno dla pamięci DRAM, jak i NAND Flash. TrendForce donosi, że producenci obawiają się potencjalnego efektu wyczerpania zasobów pamięci HBM. Zwłaszcza produktów HBM3e firmy Samsung, które wykorzystują moduł 1alpha, mają docelowo osiągnąć poziom około 60% podaży do końca 2024 roku. Oczekuje się, że ta znaczna alokacja ograniczy dostawców pamięci DDR5, zwłaszcza że produkcja HBM3e znacznie wzrośnie w 3. kwartale. W odpowiedzi nabywcy zwiększają swoje zapasy w drugim kwartale, aby przygotować się na przewidywane niedobory pamięci HBM, które rozpoczną się w trzecim kwartale tego roku.