Samsung otwiera centrum badawcze DRAM w Dolinie Krzemowej
Amerykański oddział badawczy firmy Samsung, DSA, uruchomił nowe laboratorium w celu opracowania trójwymiarowej (3D) pamięci DRAM nowej generacji.
Wiodący na świecie producent układów pamięci zapewnił sobie obecną pozycję, kiedy w 2013 roku wprowadził na rynek pionowe pamięci flash NAND 3D. Jednak technologiczny wyścig zbrojeń wciąż trwa. Dlatego teraz Samsung – i jego nowe amerykańskie laboratorium badawczo-rozwojowe – koncentruje się na technologii 3D DRAM nowej generacji. W październiku firma ujawniła, że przygotowuje nowe struktury 3D dla sub-10-nanometrowej pamięci DRAM, co pozwoli na zwiększenie pojemności pojedynczego układu, przekraczającej 100 gigabitów.
Rok 2023 był trudny dla Samsunga i całego rynku pamięci. Niski popyt na komputery PC, serwery i smartfony spowodował nadpodaż i nadmiar zapasów na całym rynku. W rezultacie ceny spadły, a zysk operacyjny Samsunga za 3 kwartał 2023 r. spadł o ponad 77% w porównaniu z tym samym okresem rok wcześniej.
Jednak branża pamięci – podobnie jak ogólnie branża chipów – jest wyjątkowo cykliczna. Eksperci przewidują, że rok 2024 będzie mocny dzięki popytowi na serwery AI oraz nowszym segmentom rynku.
