Mitsubishi Electric i Nexperia opracują półprzewodniki mocy SiC

Mitsubishi Electric wykorzysta swoje technologie półprzewodnikowe o szerokim paśmie w celu opracowania i dostarczenia układów SiC MOSFET, które Nexperia wykorzysta do opracowania dyskretnych urządzeń SiC.

Partnerstwo ma miejsce w momencie, gdy rynek pojazdów elektrycznych rozwija się na całym świecie – napędzając wykładniczy wzrost półprzewodników mocy SiC. Mitsubishi Electric twierdzi, że w przyszłości spodziewa się zacieśnienia współpracy z firmą Nexperia.

"To obopólnie korzystne strategiczne partnerstwo z Mitsubishi Electric stanowi znaczący krok w rozwoju węglika krzemu w firmie Nexperia. Mitsubishi Electric ma duże doświadczenie jako dostawca sprawdzonych technicznie urządzeń i modułów SiC. W połączeniu z wysokiej jakości standardami i doświadczeniem Nexperii w zakresie produktów dyskretnych i opakowań, z pewnością wygenerujemy pozytywne synergie między obiema firmami – ostatecznie umożliwiając naszym klientom dostarczanie wysoce energooszczędnych produktów na rynkach przemysłowych, motoryzacyjnych lub konsumenckich, które obsługują" – mówi Mark Roeloffzen, SVP & General Manager Business Group Bipolar Discretes w Nexperii, w komunikacie prasowym. 

Urządzenia Nexperia są wykorzystywane na rynku motoryzacyjnym, przemysłowym, mobilnym i konsumenckim, przyczyniając się do dekarbonizacji i bardziej zrównoważonej przyszłości. Mitsubishi Electric będzie kontynuować poprawę wydajności i jakości swoich chipów SiC oraz skupi się na rozwoju modułów mocy przy użyciu własnych technologii modułowych.

"Nexperia jest wiodącą firmą w sektorze przemysłowym ze sprawdzonymi technologiami dla wysokiej jakości dyskretnych półprzewodników. Cieszymy się, że możemy nawiązać współpracę w zakresie wspólnego rozwoju, która wykorzysta technologie półprzewodnikowe obu firm" – dodaje Masayoshi Takemi, dyrektor wykonawczy i prezes grupy ds. półprzewodników i urządzeń w Mitsubishi Electric.