Kioxia otwiera dwa nowe obiekty R&D
Kioxia oficjalnie rozpoczęła działalność w dwóch nowych obiektach R&D – flagowym budynku w Yokohama Technology Campus i Shin-Koyasu Technology Front – wzmacniając możliwości badawczo-rozwojowe firmy w zakresie pamięci flash i dysków SSD.
Firma twierdzi, że w przyszłości inne funkcje badawczo-rozwojowe w prefekturze Kanagawa również zostaną przeniesione do obu nowych centrów, by poprawić wydajność badań i promowania dalszego rozwoju innowacji technologicznych.
Wraz z dodaniem nowego flagowego budynku, kampus technologiczny w Jokohamie niemal się podwoi, co umożliwi firmie Kioxia rozszerzenie możliwości w zakresie oceny pamięci flash i produktów SSD, a zarazem zwiększy w ten sposób ogólny rozwój produktów. Nowy budynek ma 40 000 metrów kwadratowych całkowitej powierzchni.
Z kolei Shin-Koyasu Technology Front o powierzchni 13 000 metrów kwadratowych będzie służyć jako centrum najnowocześniejszych badań podstawowych w szerokim zakresie obszarów półprzewodników, w tym nowych materiałów, procesów i urządzeń.
"Jesteśmy bardzo zadowoleni, że nowe obiekty badawczo-rozwojowe Kioxia już działają. Kioxia jest liderem innowacji w zakresie produktów pamięciowych od ponad 35 lat, od czasu wynalezienia pamięci flash NAND. Dzięki obu nowym obiektom jeszcze bardziej przyspieszymy i pogłębimy nasze działania badawczo-rozwojowe, aby dostarczać produkty, usługi i technologie, które będą wspierać cyfrowe społeczeństwo przyszłości" – mówił w komunikacie prasowym Masaki Momodomi, dyrektor ds. technologii w Kioxia Corporation.
Oprócz technologii pamięci nowej generacji, Kioxia angażuje się również w prace badawczo-rozwojowe w różnych dziedzinach, w tym w technologię systemową wybiegającą w przyszłość w kierunku systemów obliczeniowych skoncentrowanych na danych i transformacji cyfrowej, takich jak sztuczna inteligencja. Kioxia kończy komunikat prasowy stwierdzeniem, że jest zaangażowana w opracowywanie inicjatyw, które wzmocnią konkurencyjność jej działalności w zakresie pamięci flash i dysków SSD.
