Samsung rusza z produkcją pamięci DDR5 DRAM klasy 12 nm

W porównaniu z poprzednią generacją, nowa pamięć Samsung DDR5 DRAM klasy 12 nm zmniejsza zużycie energii nawet o 23%, jednocześnie zwiększając produktywność wafli nawet o 20%

"Wykorzystując zróżnicowaną technologię procesową, wiodąca w branży pamięć DRAM DDR5 klasy 12 nm firmy Samsung zapewnia wyjątkową wydajność i energooszczędność" – powiedział w komunikacie prasowym Jooyoung Lee, wiceprezes wykonawczy ds. produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics. "Nasza najnowsza pamięć DRAM odzwierciedla nasze ciągłe zaangażowanie w bycie liderem na rynku pamięci DRAM, nie tylko dzięki produktom o wysokiej wydajności i pojemności, które zaspokajają zapotrzebowanie rynku komputerowego na przetwarzanie na dużą skalę, ale także poprzez komercjalizację rozwiązań nowej generacji, które wspierają większą produktywność".

Opracowanie przez firmę Samsung technologii procesowej klasy 12 nm było możliwe dzięki zastosowaniu nowego materiału high-κ, który pomaga zwiększyć pojemność ogniw. Wysoka pojemność skutkuje znaczną różnicą potencjałów elektrycznych w sygnałach danych, co ułatwia ich dokładne rozróżnienie. 

Oferując maksymalną prędkość 7,2 gigabitów na sekundę (Gbps) – co przekłada się na prędkość, która może przetworzyć dwa filmy UHD o pojemności 30 GB w około sekundę – linia pamięci DDR5 DRAM firmy Samsung klasy 12 nm będzie obsługiwać rosnącą listę aplikacji, w tym centra danych, sztuczną inteligencję i komputery nowej generacji.

Samsung twierdzi, że zakończył ocenę 16-gigabitowej pamięci DDR5 DRAM pod kątem zgodności z AMD w grudniu ubiegłego roku i kontynuuje współpracę z globalnymi firmami IT w celu napędzania innowacji na rynku pamięci DRAM nowej generacji.