reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© SK hynix
Biznes |

SK Hynix rozszerza zdolności produkcyjne fabryki w Wuxi

W październiku ubiegłego roku Departament Handlu USA nałożył ograniczenia na import półprzewodników z Chin w zakresie urządzeń do procesów 18nm i niższych. Fabryka SK hynix w Wuxi otrzymała roczną licencję na produkcję, ale ryzyko geopolityczne i słaby popyt skłoniły firmę do ograniczenia produkcji wafli o około 30% miesięcznie w 2Q23, wynika z badań TrendForce.

TrendForce donosi, że SK hynix w swoim zakładzie produkcyjnym w Wuxi planował przejść z głównego procesu technologicznego z 1Y nm na 1Z nm, zmniejszając tym samym wydajność starszych procesów. Jednak ze względu na ograniczenia wynikające z amerykańskiego zakazu, firma zdecydowała się zwiększyć udział linii produkcyjnych 21 nm, skupiając się na produktach DDR3 i DDR4 4Gb. Długoterminowa strategia SK hynix zakłada natomiast przeniesienie ekspansji mocy produkcyjnych z powrotem do Korei Południowej, podczas gdy fabryka w Wuxi będzie zaspokajała popyt wewnętrzny w Chinach oraz rynek konsumenckiej pamięci DRAM w starszych procesach.

Układy DDR3 i DDR4 4Gb stanowią mniej niż 30% ogólnych zamówień SK hynix na konsumenckie pamięci DRAM. Jednakże firma rozszerza swoje starsze linie produkcyjne, co oznacza, że podaż konsumenckich pamięci DRAM o niskiej gęstości będzie stopniowo wzrastać. Analiza tajwańskiego łańcucha dostaw ujawnia, że Nanya, Winbond i PSMC (które pomagają firmom projektującym układy scalone w produkcji DRAM) dostarczają DDR3 4Gb; jedynie Nanya zapewnia dostawy DDR4 4Gb na dużą skalę.

Trzej główni dostawcy oraz Nanya posiadają węzły procesowe o wielkości około 20 nm dla DDR3 4Gb. Samsung obecnie dostarcza zarówno 20 nm, jak i 1X nm węzły procesu dla DDR4 4Gb. Planuje również przejść na 1Z nm w drugiej połowie 2023 roku, obejmując prowadzenie w strukturze procesowej. Micron natomiast nie zapewnia tej konkretnej gęstości chipów, a zarówno SK hynix, jak i Nanya oscylują wokół 20 nm. Ogólnie rzecz biorąc, inni tajwańscy producenci skupiają się przede wszystkim na produktach DDR3, a ich węzły produktowe pozostają na poziomie 25 nm. Jeśli chodzi o masową produkcję, to chociaż Winbond i PSMC rozwijają procesy 20 nm, nadal pozostają w tyle za swoimi konkurentami.

Popyt na konsumenckie pamięci DRAM pozostaje niestabilny, a w 2Q23 ceny powinny nadal spadać

Pomimo lekkiego wzrostu popytu spowodowanego wcześniejszym upłynnieniem zapasów TV, co doprowadziło do skromnego wzrostu zamówień SoC, rynek nadal boryka się z wyzwaniami. Popyt w branży motoryzacyjnej jest stosunkowo stabilny, ale wielkość rynku jest nadal ograniczona, a zwiększenie popytu na komunikację sieciową wydaje się mało prawdopodobne. TrendForce twierdzi, że mimo iż dostawcy DRAM ograniczyli produkcję konsumenckiej pamięci DRAM, obecny stan podaży i popytu nadal skłania się ku nadpodaży, biorąc pod uwagę poziom zapasów. W związku z tym w 2Q23 powinien nastąpić średni spadek cen o 10-15%. W dłuższej perspektywie zwiększona produkcja w fabryce w Wuxi może wywrzeć dodatkową presję na dostawców, co jeszcze bardziej utrudni odbicie cen konsumenckich DRAM.


reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 14 2024 07:33 V22.4.46-2
reklama
reklama