Mitsubishi Electric inwestuje w półprzewodniki SiC
Japońska firma poinformowała, że podwoi ogłoszony wcześniej plan inwestycyjny do około 260 mld JPY, czyli ok. 1,8 mld euro. Zwiększenie wydatków na przedsięwzięte plany związane jest głównie z budową nowej fabryki wafli, która miałaby zapewnić zwiększenie produkcji półprzewodników SiC.
Swoją inwestycją Mitsubishi Electric chce odpowiedzieć na szybko rosnące zapotrzebowanie na półprzewodniki mocy SiC dla pojazdów elektrycznych, a także na rozwijające się rynki nowych zastosowań, które wymagają np. niskich strat energii, pracy w wysokich temperaturach, czy możliwości szybkiego przełączania.
Główna część zwiększonych inwestycji, około 100 mld JPY (694 mln euro), zostanie przeznaczona na budowę nowej fabryki 8-calowych płytek SiC i ulepszenie powiązanych urządzeń produkcyjnych. Nowa fabryka, która obejmie już posiadany obiekt w rejonie Shisui w prefekturze Kumamoto, będzie produkować 8-calowe wafle SiC o dużej średnicy. Znajdą się w niej również nowe cleanroomy, które będą się charakteryzowały "najnowocześniejszą wydajnością energetyczną i wysokim poziomem automatyzacji produkcji". Obecnie, plan zakłada uruchomienie nowego zakładu w kwietniu 2026 roku.
Ponadto firma twierdzi, że wzmocni istniejące zakłady produkcyjne dla 6-calowych wafli SiC, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu również w tym sektorze.
Mitsubishi Electric przeznaczyło również około 10 mld JPY (69,5 mln EUR) na nową fabrykę, która skonsoliduje istniejące operacje, obecnie rozproszone w rejonie Fukuoka. Będzie tam się również odbywał montaż i kontrola półprzewodników mocy.
"Integracja projektowania, rozwoju i weryfikacji technologii produkcji znacznie zwiększy możliwości rozwojowe firmy i ułatwi terminową, masową produkcję w odpowiedzi na zapotrzebowanie rynku" – pisze firma w komunikacie prasowym.
Firma twierdzi, że około 20 mld JPY (139 mln EUR) zostanie wykorzystane na ulepszenia sprzętu, uzgodnienia środowiskowe i inne, powiązane operacje.
