II-VI zwiększy moce produkcyjne w USA i Szwecji
II-VI Incorporated przyspiesza inwestycje w fabryki wafli SiC 150 mm i 200 mm oraz podłoży epitaksjalnych dzięki rozbudowie fabryk w Easton w stanie Pensylwania i w Kista w Szwecji.
Zapowiedziane projekty to część planu inwestycyjnego o wartości 1 mld USD w SiC, który ma być realizowany w ciągu najbliższych 10 lat. W kwietniu ubiegłego roku firma II-VI zakończyła rozbudowę produkcji wafli SiC w Chinach.
Aby sprostać rosnącemu światowemu zapotrzebowaniu na energoelektronikę SiC, II-VI zapowiada, że znacznie rozbuduje fabrykę o powierzchni blisko 30 tys. m kw. zlokalizowaną w Easton w stanie Pensylwania, aby zwiększyć produkcję podłoży SiC o średnicy 150 mm i 200 mm oraz wafli epitaksjalnych. Firma zapowiada, że produkcja podłoży 150 mm i 200 mm SiC w zakładzie osiągnie równowartość 1 miliona podłoży 150 mm rocznie do 2027 roku, przy czym udział płytek 200 mm będzie się zwiększał.
II-VI nie podaje szczegółów dotyczących rozwoju produkcji wafli epitaksjalnych w Kista, tamtejsze inwestycje mają natomiast zapewnić możliwość obsługi rynku europejskiego.
– Nasi klienci przyspieszają swoje plany, aby wyjść na przeciw przewidywanej fali popytu na energoelektronikę SiC w pojazdach elektrycznych, która, jak się spodziewamy, przyjdzie tuż po obecnym cyklu wdrażania tej technologii w przemyśle, energii odnawialnej, centrach danych i nie tylko – mówi Sohail Khan, wiceprezes działu New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies.
Sohail Khan dodaje, że fabryka w Easton zwiększy produkcję podłoży SiC co najmniej sześciokrotnie w ciągu najbliższych pięciu lat, a także stanie się flagowym centrum produkcyjnym firmy dla 200 mm wafli SiC.
