Toshiba zwiększy moce produkcyjne chipów
Toshiba wyprodukuje więcej układów mocy dzięki nowej fabryce półprzewodników na waflach 300 mm. Po zakończeniu pierwszej fazy inwestycji firma zwiększy moce produkcyjne 2,5 razy.
Firma Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) zbuduje fabrykę półprzewodników mocy na podłożach 300 mm w swojej głównej bazie produkcji półprzewodników dyskretnych, Kaga Toshiba Electronics Corporation w prefekturze Ishikawa.
Budowa będzie przebiegać w dwóch fazach, co pozwoli zoptymalizować tempo inwestycji zgodnie z trendami rynkowymi, przy czym rozpoczęcie produkcji 1. fazy zaplanowano na rok fiskalny 2024. Po osiągnięciu pełnej wydajności pierwszego etapu inwestycji,, zdolność produkcyjna półprzewodników mocy Toshiba będzie 2,5 razy większa niż w roku fiskalnym 2021 – informuje firma.
Jak wskazuje Toshiba, urządzenia zasilające są niezbędnymi komponentami do zarządzania i zmniejszania zużycia energii w każdym rodzaju sprzętu elektronicznego oraz do osiągnięcia społeczeństwa neutralnego pod względem emisji dwutlenku węgla. Obecny popyt rozszerza się na elektryfikację pojazdów i automatyzację urządzeń przemysłowych, przy bardzo dużym zapotrzebowaniu na niskonapięciowe tranzystory MOSFET i IGBT oraz inne produkty.
– Do tej pory firma Toshiba zaspokajała ten wzrost popytu zwiększając moce produkcyjne na liniach 200 mm i przyspieszając rozpoczęcie produkcji na liniach 300 mm z pierwszej połowy roku fiskalnego 2023 do drugiej połowy roku fiskalnego 2022. Decyzje o całkowitych inwestycjach w moce produkcyjne i wyposażenie nowej fabryki, rozpoczęciu, mocach i planie produkcji będą odzwierciedlać trendy rynkowe – czytamy w komunikacie.
Toshiba podkreśla, że fabryka będzie supernowoczesnym zakładem, zarówno pod względem zasilania i energooszczędności, jak i automatyzacji produkcji, informując m.in., że jakość produktów i wydajność produkcji ulegnie poprawie dzięki wprowadzeniu sztucznej inteligencji i zautomatyzowanych systemów transportu płytek.
Toshiba zapowiada przyszłe rozszerzanie działalności w zakresie półprzewodników mocy i zwiększanie konkurencyjności dzięki inwestycjom oraz pracom badawczo-rozwojowym, które pozwolą jej reagować na szybko rosnący popyt oraz przyczyniać się osiągania celów neutralności pod względem emisji dwutlenku węgla.
