Najnowsze DDR5 DRAM Samsunga w 14 nm EUV już w produkcji

W marcu tego roku Samsung poinformował o produkcji pierwszej w branży pamięci DRAM w technologii EUV. Obecnie Samsung zwiększył liczbę warstw EUV do pięciu, aby dostarczyć „najdoskonalszy, najbardziej zaawansowany DRAM dla swoich rozwiązań DDR5” – informuje koreańska firma w komunikacie. – Dziś Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii wielowarstwowego EUV, który pozwolił na ekstremalną miniaturyzację w 14nm – wyczyn nieosiągalny w konwencjonalnym procesie argonowo-fluorkowym (ArF). Postęp ten pozwoli nam dostarczać najbardziej zróżnicowane rozwiązania pamięciowe, w pełni odpowiadając na potrzeby współczesnego świata napędzanego przez t5G, AI i metawersję – mówi Jooyoung Lee, starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics. Ponieważ DRAM nadal skaluje się w dół w zakresie 10nm, technologia EUV staje się coraz ważniejsza. Dzięki temu poprawiona zostanie dokładność patterningu w celu uzyskania wyższej wydajności i produkcji. Samsung podkreśla, że dzięki zastosowaniu pięciu warstw EUV w 14nm DRAM, udało się osiągnąć najwyższą gęstość bitową, jednocześnie zwiększając ogólną wydajność wafla o około 20%. Dodatkowo, proces 14nm może pomóc obniżyć zużycie energii o prawie 20% w porównaniu z poprzednią generacją DRAM. Wykorzystując najnowszy standard DDR5, 14nm DRAM firmy Samsung może zapewnić prędkość do 7,2 gigabitów na sekundę (Gbps), co stanowi ponad dwukrotność prędkości DDR4, która wynosi do 3,2Gbps. Samsung planuje rozszerzyć swoją ofertę 14nm DDR5, aby obsłużyć centra danych, superkomputery i aplikacje serwerowe dla przedsiębiorstw. Ponadto firma przewiduje zwiększenie gęstości 14nm DRAM do 24Gb, aby lepiej sprostać szybko rosnącemu zapotrzebowaniu na dane w globalnych systemach IT.