Nanya Technology wybuduje fabrykę pamięci

Jak informuje Nanya, w fabryce produkowane będą układy DRAM w opracowanym przez firmę procesie 10 nm, Nanya zamierza też wykorzystywać technologię litografii w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV). Miesięczne moce szacowane są na około 45 tys. płytek. Dzięki inwestycji ma powstać 2000 nowych miejsc pracy w bezpośrednio w branży high-tech oraz pośrednio – tysiące dodatkowych etatów. Prace konstrukcyjne przy nowym zakładzie mają ruszyć pod koniec 2021 roku, zakończenie budowy przewidywane jest na 2023 rok, natomiast rozpoczęcie produkcji – na rok 2024. Nanya zainwestuje w projekt w sumie około 300 mld NTD (8,88 mld EUR), a cały plan inwestycyjny ma obejmować trzy fazy w ciągu siedmiu lat. – Układy DRAM stały się kluczowym elementem inteligentnego świata. W związku ze wzrostem rynku pamięci, Nanya Technology zainwestuje w fabrykę zaawansowanych półprzewodników, co zwiększy międzynarodową konkurencyjność firmy jako lidera DRAM na Tajwanie i przeniesie Nanyę na wyższy poziom jako kluczowego dostawcę pamięci dla Globus – mówi prezes Nanya Technology, Chia-Chau Wu w komunikacie prasowym. – W 2020 roku z sukcesem opracowaliśmy technologię 10 nm dla DRAM, która umożliwia oferowanie produktów DDR5, LPDDR5 i 16Gb DRAM zgodnie z wymaganiami wynikającymi z rozwoju 5G i inteligentnych systemów. Planujemy w tym roku rozpocząć masową produkcję – dodaje prezes Nanya Technology, dr Pei-Ing Lee.