© Pixabay
Przemysł elektroniczny |
Chińskie media: Samsung dołoży 8 mld USD do chińskiej fabryki pamięci
Samsung Electronics zamierza przeznaczyć dodatkowe 8 mld USD na inwestycję w fabrykę pamięci w Xian w związku z przewidywanym wzrostem popytu na te układy – raportuje Reuters powołując się na nieoficjalne informacje chińskich mediów.
Samsung w ciągu ostatnich trzech lat zainwestował już 7 mld USD w budowę drugiej fabryki pamięci w chińskim Xian. Masowa produkcja pierwszej generacji układów V-NAND flash rozpoczęła się tam w 2014 roku. Prace konstrukcyjne przy drugim budynku ruszyły w 2018 roku.
Samsung odmówił komentarza w tej sprawie.
Firma analityczna IC Insights przewiduje, że już w przyszłym roku nastąpi poprawa na rynku pamięci, sprzedaż w segmencie NAND Flash ma wzrosnąć o 19%, a w segmencie DRAM o 12%.