
© Micron
Przemysł elektroniczny |
Micron rozpoczął produkcję pamięci w procesie 1z
Micron Technology poinformował w zeszłym tygodniu, że rozpoczął masową produkcję układów DRAM (16Gb DDR4) w procesie 1z nm, czyli litografii 10 nm 3. generacji.
- Rozwój i masowa produkcja układów DRAM przy wykorzystaniu najnowocześniejszej technologii poświadcza najwyższe możliwości produkcyjne i inżynieryjne firmy Micron, szczególnie w czasach, gdy skalowanie pamięci DRAM stało się tak bardzo skomplikowane – skomentował Scott DeBoer, wiceprezes ds. rozwoju technologii Micron Technology.
Jak podkreśla Micron w komunikacie, układy 16Gb DDR4 wyprodukowane w technologii 1z nm zapewniają znacznie większą gęstość zapisu, wyższą wydajność i niższe koszty w porównaniu do poprzedniej generacji 1Y. Układy produkowane w procesie 1z mają się charakteryzować 40% niższym poborem energii niż 8 Gb DDR4 powstające w procesie 1Y nm.
Micron zapewnia w ten sposób ciągły postęp w dostarczaniu ulepszeń w zakresie wydajności i poboru mocy jeśli chodzi o układy DRAM przeznaczone do aplikacji komputerowych (DDR4), mobilnych (LPDDR4) i graficznych (GDDR6). Właśnie osiągnięcie optymalnej równowagi pomiędzy mocą a wydajnością będzie kluczowe dla aplikacji takich jak: sztuczna inteligencja, pojazdy autonomiczne, 5G, urządzenia mobilne, grafika, gry, infrastruktura sieciowa i serwery – czytamy w komunikacie.