
© Samsung Electronics
Przemysł elektroniczny |
Samsung: produkcja w procesie 5 nm już dostępna
Samsung poinformował wczoraj, że zakończył prace rozwojowe nad procesem technologicznym 5 nm FinFET i może uruchomić produkcję serii próbnych dla klientów.
W porównaniu do 7 nm, technologia Samsunga 5 nm FinFET EUV zapewnia 25% zwiększenie upakowania tranzystorów, 20% ograniczenie poboru mocy oraz 10% większą ogólną wydajność. Samsung podkreśla też korzyści wynikające z używania litografii EUV (w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie), dzięki której możliwe jest np. zmniejszenie liczby warstw maski.
W październiku 2018 roku Samsung ogłosił gotowość uruchomienia wstępnej produkcji w technologii 7 nm – pierwszym procesie wykorzystującym litografię EUV. Firma dostarczyła próbki układów powstałych w tej technologii i na początku bieżącego roku wystartowała z masową produkcją.
Samsung poinformował również, że współpracuje z klientami w zakresie technologii 6 nm EUV i wyprodukował już testowe układy przy wykorzystaniu tego procesu.
- Spodziewamy się dużego popytu na zaawansowane procesy produkcyjne oparte na litografii EUV, potrzeby będą generowane ze strony takich obszarów, jak 5G, sztuczna inteligencja, HPC (high performance computing) oraz motoryzacja – stwierdził Charlie Bae, wiceprezes biznesu foundry w Samsung Electronics. Bae zapewnia także, że Samsung będzie kontynuował prace na przyspieszeniem wprowadzania masowej produkcji w technologiach wykorzystujących litografię EUV.
Obecnie produkcja w technologiach EUV Samsunga odbywa się w fabryce w koreańskim Hwaseong, gdzie firma realizuje obecnie inwestycję zwiększającą moce produkcyjne w tym zakresie. Ukończenie projektu planowane jest na drugą połowę 2019 roku.