© Pixabay
Analizy |
Konkurenci pod presją wysokich nakładów inwestycyjnych Samsunga
Wartość dwuletnich nakładów inwestycyjnych w sektorze półprzewodników Samsunga ma wynieść 46,8 mld USD, czyli niemal tyle, co łączne nakłady Intela i TSMC w tym okresie (48,4 mld USD) – progonzuje IC Insights.
Jak raportuje firma analityczna IC Insights, w 2018 roku Samsung ponownie będzie mógł się pochwalić największym budżetem na inwestycje wśród dostawców układów scalonych. W ubiegłym roku południowokoreański przedsiębiorca przeznaczył na ten cel 24,2 mld USD, a prognozy na ten rok, chociaż odrobinę niższe, są nadal imponujące: 22,6 mld USD. To znaczny wzrost w porównaniu z latami 2010-2016, gdy średnie nakłady inwestycyjne wynosiły 12 mld USD.
Według ekspertów IC Insights, te olbrzymie inwestycje Samsunga będą miały silny wpływ na sytuację na rynku. Jednym z efektów będzie nadpodaż w sektorze pamięci 3D NAND flash, do czego zresztą swoje cegiełki dokładają SK Hynix, Micron, Toshiba czy Intel. Na przykład SK Hynix na początku 2018 roku ogłosił, że zwiększy wydatki inwestycyjne w tym roku przynajmniej o 30%, natomiast w według listopadowych szacunków IC Insights, producent przeznaczy na ten cel w 2018 roku kwotę nawet o 58% większą niż w roku ubiegłym. SK Hynix przede wszystkim będzie rozwijał moce produkcyjne w dwóch fabrykach pamięci: koreańskiej 3D NAND w Cheongju oraz chińskiej DRAM w Wuxi.
Według prognoz IC Insights w 2018 roku łączne nakłady inwestycyjne w branży półprzewodników wzrosną o 15% do 107,1 mld USD, po raz pierwszy w historii przekraczając kwotę 100 mld USD. Przyszły rok natomiast ma przynieść spadek o 12%.
© IC Insigths