reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Pixabay Przemysł elektroniczny | 23 maja 2018

Samsung i SK Hynix zainwestują miliardy w półprzewodniki

Liderzy rynku pamięci zamierzają zainwestować nawet 42 mld USD (45 bln KRW) w produkcję półprzewodników, przede wszystkim w fabryki w Korei – informuje The Korea Times.
W zeszłym roku niemal połowa przychodów operacyjnych Samsung Electronics pochodziła z sektora półprzewodników. Najnowsze inwestycje oznaczają, że sprzedaż będzie jeszcze rosnąć.

- Połączone inwestycje Samsung Electronics i SK Hynix w zakłady produkcyjne w ciągu tego roku wyniosą 45 bln KRW, ponieważ Samsung zwiększa nakłady w fabryki chipów do 30 bln KRW z 27,3 bln KRW w zeszłym roku – pisze The Korea Times powołując się na anonimowego informatora. To oznacza, że SK Hynix zwiększy inwestycje do 15 bln KRW. Wcześniej, należąca do SK Group firma, zapowiedziała, że zainwestuje 13 bln KRW. Producent pamięci najwyraźniej wykorzystuje boom w ten branży i poprzez duże inwestycje, chce wzmocnić swoją pozycję. Warto przypomnieć, że SK Hynix jest członkiem konsorcjum pod przewodnictwem amerykańskiego Bain Capital, które kupi biznes chipów Toshiby, czyli Toshiba Memory Corporation (TMC). W ostatnich dniach Chiny wyraziły zgodę na tę transakcję.

Nowe plany inwestycyjne Samsunga i SK Hynix zbiegają się ze startem masowej produkcji w zmodernizowanych lokalnych fabrykach. Oczekuje się, że postępujący rozwój w sektorach automotive, internetu rzeczy czy sztucznej inteligencji znacząco wpłynie na zwiększenie popytu na półprzewodniki w nadchodzących latach.

Według ostatniego raportu DRAMeXchange, Samsung i SK Hynix mają łącznie niemal ¾ udziałów w rynku pamięci DRAM.

Źródło: The Korea Times

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
July 18 2018 17:55 V10.0.0-2