SK hynix inwestuje 38 mld USD w fabryki chipów w Korei Południowej
Zarząd SK hynix zatwierdził inwestycje o łącznej wartości około 54,3 bln wonów (38 mld USD), które mają zostać zrealizowane do 2031 roku. Z tej kwoty 35,2 bln wonów przeznaczono na drugi etap budowy fabryki układów scalonych w Yongin, a 19,1 bln wonów na fabrykę M17 w Cheongju.
SK hynix poinformowało, że firma podjęła decyzję o budowie nowych zakładów produkcyjnych w Yongin i Cheongju w Korei Południowej. Łączna wartość zatwierdzonych przez zarząd inwestycji wynosi około 54 bln wonów, czyli około 38 mld USD. Na fabrykę Y2 w Yongin przypadnie 35,2 bln wonów, a na zakład M17 w Cheongju 19,1 bln wonów.
Decyzja jest realizacją średnio- i długoterminowej strategii inwestycyjnej przedstawionej przez spółkę w czerwcu. SK hynix planuje przeznaczyć 600 bln wonów na rozwój klastra półprzewodnikowego w Yongin oraz 100 bln wonów na rozbudowę bazy produkcyjnej w Cheongju. Obecnie w Yongin trwa budowa pierwszej fabryki, oznaczonej jako Y1. Najnowsza decyzja oznacza rozpoczęcie przygotowań do budowy kolejnych zakładów w obu lokalizacjach.
Fabryka Y2 będzie drugim z czterech zakładów, które mają powstać etapami w ramach klastra półprzewodnikowego w Yongin. Zakład będzie produkował pamięci DRAM i zajmie łącznie około 1,13 mln m² powierzchni. Rozpoczęcie budowy zaplanowano na lipiec przyszłego roku, a uruchomienie pierwszego cleanroomu na czerwiec 2029 roku. Produkowane mają być tam m.in. pamięci HBM oraz inne układy DRAM nowej generacji.
Budowa pierwszej fabryki Y1 przebiega zgodnie z harmonogramem. Uruchomienie jej pierwszego cleanroomu ma nastąpić w lutym przyszłego roku.
SK hynix wcześniej zapowiedział przyspieszenie realizacji klastra w Yongin o 12 lat. Zgodnie ze zmienionym harmonogramem wszystkie cztery fabryki mają zostać ukończone w 2033 roku, zamiast pierwotnie planowanego 2045 roku. Budowa Y2 jest drugim etapem realizacji tego przyspieszonego planu. Inwestycje mają być prowadzone etapami do października 2031 roku.
Cheongju zostało wybrane jako lokalizacja nowej fabryki pamięci NAND ze względu na możliwość najszybszego przeprowadzenia procesu budowy. Zakład M17 zajmie około 680 tys. m². Rozpoczęcie prac zaplanowano na luty przyszłego roku, a uruchomienie pierwszego cleanroomu na grudzień 2028 roku.
„Ta inwestycja jest decyzją mającą na celu wykorzystanie możliwości pojawiających się wraz z tempem wzrostu rynku” – powiedział przedstawiciel SK hynix. Dodał, że wcześniejsze zabezpieczenie mocy produkcyjnych ma pomóc spółce umocnić pozycję kluczowego partnera dla infrastruktury AI i przyczynić się do stabilizacji globalnego łańcucha dostaw półprzewodników wykorzystywanych w sztucznej inteligencji.
