CXMT chce zbudować drugą fabrykę pamięci DRAM w Pekinie
ChangXin Memory Technologies (CXMT) analizuje możliwość budowy drugiej fabryki układów pamięci w Pekinie. Według informacji agencji Reutera spółka prowadzi wstępne rozmowy dotyczące finansowania projektu z władzami specjalnej strefy Beijing Economic-Technological Development Area oraz państwowymi podmiotami inwestycyjnymi.
Planowany zakład miałby powstać w dzielnicy Yizhuang, około 20 kilometrów od centrum Pekinu. To właśnie tam znajduje się już jedna z fabryk CXMT produkujących pamięci DRAM.
Rozmowy dotyczące finansowania znajdują się na wczesnym etapie. Według źródeł spółka stara się pozyskać co najmniej 60 mln juanów wsparcia od administracji strefy rozwoju. Nie wiadomo jeszcze, czy środki zostaną przekazane bezpośrednio przez lokalne władze, czy za pośrednictwem kontrolowanych przez nie funduszy inwestycyjnych. Nie ujawniono również planowanej zdolności produkcyjnej ani całkowitej wartości inwestycji. Budowa nowoczesnej fabryki pamięci DRAM może kosztować ponad 10 mld USD.
Nowy zakład byłby kolejnym elementem programu rozbudowy mocy produkcyjnych CXMT. Reuters informował wcześniej, że firma realizuje już inwestycje w Szanghaju i Hefei oraz prowadzi rozmowy dotyczące budowy kolejnej fabryki w innej lokalizacji. Po zakończeniu tych projektów łączna zdolność produkcyjna przedsiębiorstwa mogłaby przekroczyć 600 tys. wafli krzemowych miesięcznie, czyli ponad dwukrotnie więcej niż obecnie.
Obecnie CXMT dysponuje trzema fabrykami 12-calowych wafli – dwiema w Hefei oraz jedną w Pekinie. Każda z nich ma zdolność produkcji około 100 tys. wafli miesięcznie.
Ekspansja spółki nabrała tempa po ubiegłomiesięcznym debiucie giełdowym. Oferta publiczna o wartości 8,6 mld USD była największym debiutem chińskiej firmy z sektora półprzewodników na krajowym rynku. Pozyskany kapitał ma zostać przeznaczony na dalszy rozwój produkcji w okresie rosnącego popytu na pamięci, napędzanego inwestycjami w infrastrukturę AI, centra danych oraz elektronikę użytkową. Od wejścia na giełdę akcje spółki wzrosły o około 13 proc.
Rozbudowa zakładów wpisuje się również w strategię władz Chin, których celem jest zwiększenie samowystarczalności krajowego przemysłu półprzewodników i ograniczenie zależności od zagranicznych dostawców technologii.
Mimo dynamicznego wzrostu CXMT pozostaje znacznie mniejszym producentem niż światowi liderzy rynku pamięci DRAM – Samsung Electronics, SK Hynix i Micron. Według danych Counterpoint Research trzy firmy odpowiadały w pierwszym kwartale za blisko 90 proc. globalnego rynku.
