Rapidus uruchomił dwa centra rozwoju półprzewodników w Japonii
Japoński Rapidus rozszerza zaplecze badawczo-rozwojowe. Spółka poinformowała o uruchomieniu dwóch nowych obiektów wspierających rozwój technologii półprzewodnikowych: Analysis Center oraz Rapidus Chiplet Solutions (RCS). Oba zakłady mają przyspieszyć przygotowania do produkcji zaawansowanych układów scalonych planowanej na 2027 rok.
Analysis Center powstało w bezpośrednim sąsiedztwie fabryki półprzewodników IIM-1 w Chitose (miasto w południowej części wyspy Hokkaido. Obiekt odpowiada za kluczowe procesy badawcze związane z rozwojem nowoczesnych układów logicznych. Zakres prac obejmuje analizę fizyczną, badania środowiskowe i chemiczne, charakterystykę elektryczną oraz testy niezawodności.
RCS pełni funkcję ośrodka badawczo-rozwojowego w obszarze zaawansowanego pakowania półprzewodników. Jednostka rozpoczęła działalność w październiku 2024 roku na terenie zakładu Seiko Epson Corporation w Chitose. Po zakończeniu budowy cleanroomu w 2025 roku rozpoczęto instalację sprzętu. Dotychczas prowadzono prace w ograniczonym zakresie, w tym produkcję prototypowego panelu interposera RDL o wymiarach 600 mm. Obecnie RCS przechodzi do pełnej skali operacyjnej.
Rozbudowa infrastruktury badawczej ma wzmocnić zdolności rozwojowe Rapidus i zapewnić płynne przejście do produkcji masowej zaawansowanych półprzewodników. Spółka zakłada osiągnięcie tego celu w drugiej połowie roku fiskalnego 2027.