Imec z najnowocześniejszą litografią świata
Belgijski ośrodek badawczo-rozwojowy imec poinformował o dostarczeniu systemu litografii ASML EXE:5200 High NA EUV, uznawanego za najbardziej zaawansowane urządzenie tego typu na świecie. Narzędzie opracowane przez ASML stanowi kluczowy element przejścia branży półprzewodników do tzw. ery angstremowej.
Nowy system został zintegrowany z zapleczem badawczym Imec, obejmującym narzędzia do patterningu, metrologii oraz materiały procesowe. Dzięki temu partnerzy ośrodka – producenci układów scalonych, dostawcy sprzętu i materiałów – uzyskają wcześniejszy dostęp do technologii umożliwiających rozwój układów logicznych poniżej 2 nm oraz pamięci o bardzo wysokiej gęstości.
„Zainstalowanie przez imec urządzenia EXE:5200 stanowi ważny krok w kierunku ery angstremów. Wspólnie przyspieszamy rozwój technologii EUV o wysokim współczynniku NA dla kolejnych generacji zaawansowanych pamięci i układów obliczeniowych” - powiedział Christophe Fouquet, dyrektor generalny ASML.
Instalacja EXE:5200 jest częścią pięcioletniej współpracy strategicznej między firmami Imec a ASML. Projekt wspierają instytucje europejskie, w tym program Chips Joint Undertaking oraz inicjatywa IPCEI, a także rządy Flandrii i Holandii. System wpisuje się również w realizację pilotażowej linii badawczej NanoIC finansowanej przez Unię Europejską.
Imec zakłada, że pełna kwalifikacja systemu EXE:5200 nastąpi w czwartym kwartale 2026 roku. Do tego czasu działalność badawcza w obszarze High NA EUV będzie kontynuowana w laboratorium wspólnym Imec i ASML w Veldhoven, co ma zapewnić ciągłość prac rozwojowych.
„Ostatnie dwa lata stanowiły ważny rozdział w historii litografii EUV o wysokim współczynniku apertury (0,55 NA), w ramach którego imec i ASML połączyły siły z partnerami z branży w ramach wspólnego laboratorium litografii EUV o wysokim współczynniku apertury w Veldhoven (Holandia), aby stać się pionierami w dziedzinie technologii EUV o wysokim współczynniku apertury. Wraz z instalacją systemu litografii EUV o wysokim współczynniku NA EXE:5200 w naszym pomieszczeniu czystym 300 mm w Leuven (Belgia) dążymy do wprowadzenia tych technologii wzorcowania EUV o wysokim współczynniku NA na skalę istotną dla przemysłu oraz do opracowania zastosowań wzorcowania EUV o wysokim współczynniku NA nowej generacji. Jego niezrównana rozdzielczość, ulepszona wydajność nakładania, wysoka przepustowość oraz nowy magazyn płytek, który poprawia stabilność procesu i przepustowość, zapewnią naszym partnerom decydującą przewagę w przyspieszeniu rozwoju technologii chipów poniżej 2 nm. W miarę jak branża wkracza w erę Ångströma, litografia EUV o wysokim współczynniku NA stanie się podstawową technologią, a imec z dumą przoduje w tej dziedzinie, oferując swoim partnerom najwcześniejszy i najbardziej kompleksowy dostęp do tej technologii” - powiedział Luc Van den hove, dyrektor generalny imec.
