Hitachi Energy wdraża technologię IGTO do modułów mocy 3,3 kV i wyższych
Hitachi Energy nawiązało współpracę z Pakal Technologies w celu opracowania nowej generacji wysokonapięciowych, krzemowych modułów półprzewodnikowych o napięciu znamionowym co najmniej 3,3 kV. Nowe rozwiązania mają trafić do zastosowań w kolejnictwie, energetyce odnawialnej, magazynach energii oraz infrastrukturze centrów danych i AI.
Kluczowym elementem współpracy będzie integracja opracowanego przez Pakal półprzewodnika IGTO(t) – Insulated Gate Turn-Off Thyristor – z portfolio modułów mocy Hitachi Energy o napięciu ≥3,3 kV.
Zgodnie z deklaracjami Pakal Technologies, komponent IGTO(t) zapewnia o 30 proc. niższe straty przewodzenia przy wysokich prądach i temperaturach w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami IGBT. Jednocześnie rozwiązanie pozostaje kompatybilne z obecnymi architekturami modułów mocy.
W ramach współpracy Hitachi Energy wykorzysta własne zaplecze produkcyjne w obszarze półprzewodników oraz kompetencje projektowe w zakresie modułów mocy. Technologia krzemowych przełączników Pakal zostanie zintegrowana z istniejącymi platformami produktowymi. Celem jest opracowanie modułów o najwyższych parametrach w klasie napięciowej ≥3,3 kV, oferujących wyższą sprawność, większą gęstość mocy oraz mniejsze wymagania w zakresie chłodzenia.
Przedstawiciele obu firm podkreślają, że projekt ma znaczenie strategiczne. Wskazują na potrzebę zwiększania efektywności energetycznej w systemach sieciowych i aplikacjach infrastrukturalnych o krytycznym znaczeniu.
Technologia IGTO(t) jest przedstawiana jako pierwsza nowa koncepcja wysokonapięciowego, krzemowego półprzewodnika mocy od czasu wprowadzenia tranzystora IGBT w latach 80. XX wieku. Na poziomie systemowym rozwiązanie ma umożliwiać redukcję strat energii, ograniczenie zapotrzebowania na chłodzenie oraz poprawę ogólnej efektywności pracy instalacji energetycznych.
