Infineon: Rynek GaN osiągnie wartość 3 mld USD do 2030 r.
Niemiecki producent półprzewodników Infineon Technologies przewiduje, że rynek półprzewodników mocy z azotku galu (GaN) osiągnie wartość około 3 miliardów USD do 2030 r. Takie wnioski płyną z rocznego raportu „GaN Insights” z 2026 r.
Powołując się na prognozy analityków zawarte w raporcie, firma stwierdza, że w latach 2025–2030 rynek półprzewodników mocy z azotku galu ma rosnąć w tempie 44 proc. rocznie. Przychody mają osiągnąć 920 miliony dolarów w 2026 r., co stanowi wzrost o 58 proc. w porównaniu z poziomem z roku 2025. Według Infineon prognozowana wartość na 2030 r. oznaczałaby wzrost o około 400 proc. w porównaniu z 2025 r.
Według ekspertów Infineon ten szybki wzrost jest napędzany przez wzrost produkcji, który rozpoczął się w 2025 r., poszerzając zastosowanie GaN w wielu branżach i umożliwiając jego wdrażanie w nowych zastosowaniach.
Najważniejsze zmiany produktowe
W raporcie Infineon przedstawia postępy w zakresie wysokiego napięcia dwukierunkowych przełączników GaN o konstrukcji wspólnego drenu z podwójną strukturą bramki, opartych na technologii Gate Injection Transistor (GIT). Według firmy architektura ta pozwala tej samej strefie dryfu blokować napięcia w obu kierunkach, zmniejszając rozmiar matrycy w porównaniu z konwencjonalnymi konstrukcjami typu back-to-back.
Infineon zapewnia, że jego dwukierunkowe przełączniki CoolGaN, działające z częstotliwością do 1 MHz, mogą umożliwić mikroinwerterom słonecznym dostarczanie do 40% więcej mocy przy tej samej wielkości ogniwa - tym samym obniżając koszty.
Szerszy zakres zastosowań
Według raportu „GaN Insights” technologia półprzewodników mocy z azotku galu wykracza poza dotychczasowe zastosowania. Chodzi m.in. o falowniki słoneczne i ładowarki pokładowe pojazdów elektrycznych. Nowa technologia wkracza w obszary takie jak centra danych AI, robotyka, energia odnawialna, cyfrowe rozwiązania dla służby zdrowia i obliczenia kwantowe.
Eskperci Infineon obliczyli, że w centrach danych zasilacze oparte na GaN mogą zmniejszyć straty mocy nawet o 30%. Dzięki temu umożliwią bardziej wydajną i kompaktową architekturę centrów danych. W przypadku robotyki firma twierdzi, że napędy silnikowe oparte na GaN stosowane w robotach humanoidalnych mogą być nawet o 40% mniejsze i umożliwiają lepszą kontrolę ruchu.
