SK hynix z certyfikatem Intela dla pamięci DDR5
Południowokoreańska firma SK hynix ogłosiła, że jako pierwsza w branży zakończyła proces certyfikacji Intel Data Center Certified w celu zastosowania modułu 256 GB DDR5 RDIMM — modułu serwerowego o dużej pojemności opartego na pamięci DRAM piątej generacji 32 Gb klasy 10 nm (1b) — w platformie Intel Xeon 6.
System/platforma z certyfikatem Intel Data Center Certified, moduł 256 GB DDR5 RDIMM przeszedł szeroko zakrojone testy i rygorystyczną weryfikację przeprowadzoną przez laboratorium Intel Advanced Data Center Development Laboratory. Dzięki temu jest obecnie pierwszym w branży modułem serwerowym, którego niezawodna wydajność, kompatybilność i jakość w połączeniu z procesorami Intel Xeon zostały zweryfikowane. W styczniu tego roku firma SK hynix uzyskała podobną certyfikację dla swojego produktu 256 GB opartego na matrycy 16 Gb czwartej generacji klasy 10 nm (1a).
„Obecnie jesteśmy w stanie szybciej reagować na potrzeby klientów, umacniając naszą pozycję lidera na rynku pamięci DDR5 DRAM dla serwerów. Jako producent kompleksowych pamięci AI będziemy aktywnie odpowiadać na rosnące zapotrzebowanie na wysokowydajne, energooszczędne i pojemne rozwiązania pamięciowe, aby jeszcze bardziej zwiększyć zadowolenie klientów” - powiedział Sangkwon Lee, dyrektor ds. planowania i wdrażania produktów DRAM w SK hynix.
„To osiągnięcie stanowi zwieńczenie wspólnych wysiłków inżynierów z firm Intel i SK hynix i świadczy o naszym wspólnym zaangażowaniu w rozwój technologii pamięci. Moduł o dużej pojemności spełnia coraz bardziej wymagające wymagania aplikacji AI, które potrzebują dużej pojemności, umożliwiając naszym klientom osiągnięcie nowego poziomu wydajności i efektywności w działaniu centrów danych” - powiedział dr Dimitrios Ziakas, wiceprezes ds. architektury platformy w Intel Data Center Group.