Innoscience naruszyło patent Infineona

Innoscience naruszyło jeden z patentów Infineon Technologies dotyczący technologii azotku galu (GaN) - uznało AKHM. Postępowanie toczy się w sprawie bezprawnego wykorzystania rozwiązań opracowanych przez niemieckiego producenta półprzewodników. W ramach wstępnego orzeczenia ITC potwierdziła również ważność obu patentów zgłoszonych przez Infineona.

„Orzeczenie to stanowi kolejny dowód siły własności intelektualnej firmy Infineon i potwierdza nasze zaangażowanie w energiczną obronę naszego portfolio patentowego przed naruszeniami oraz zapewnienie uczciwej konkurencji na rynku. Pozostajemy oddani wspieraniu innowacji i rozwijaniu technologii półprzewodników, aby sprostać najpilniejszym wyzwaniom świata, od dekarbonizacji po transformację cyfrową” – powiedział Johannes Schoiswohl, starszy wiceprezes i dyrektor działu GaN Systems Business Line firmy Infineon.

Finalne rozstrzygnięcie Komisji zaplanowano na 2 kwietnia 2026 r. Jeśli obecne ustalenia zostaną podtrzymane, decyzja może doprowadzić do zakazu importu produktów Innoscience uznanych za naruszające prawo patentowe na rynek USA.

Spór prowadzony jest równolegle w Europie. Niemiecki urząd patentowy niedawno podtrzymał ważność innego patentu Infineona, wprowadzając jedynie niewielkie modyfikacje. Producent dochodzi jego naruszenia przed sądem w Monachium. Wcześniej, w sierpniu 2025 r., monachijski sąd okręgowy uznał, że Innoscience naruszyło kolejny patent należący do Infineona.

Infineon podkreśla, że dysponuje jednym z najszerszych portfeli patentowych w obszarze GaN – obejmuje on około 450 rodzin patentów. Spółka jest obecna we wszystkich kluczowych technologiach materiałowych stosowanych w nowoczesnej elektronice mocy: krzemie, węgliku krzemu i azotku galu.