ROHM i Infineon rozwijają współpracę
ROHM z Kioto i Infineon z Monachium ogłosiły 25 września podpisanie memorandum dotyczącego współpracy nad pakietami SiC stosowanymi m.in. w ładowarkach pokładowych, systemach fotowoltaicznych, magazynach energii oraz centrach danych opartych na sztucznej inteligencji.
W ramach porozumienia ROHM wdroży nową platformę chłodzenia. Ma to uprościć projektowanie, zmniejszyć koszty systemowe związane z chłodzeniem, poprawić wykorzystanie powierzchni płytek oraz umożliwić podwojenie gęstości mocy.
„Firma ROHM dąży do zapewnienia klientom najlepszych możliwych rozwiązań. Nasza współpraca z Infineon stanowi znaczący krok w kierunku realizacji tego celu, ponieważ poszerza portfolio rozwiązań. Dzięki współpracy możemy stymulować innowacje, zmniejszać złożoność i zwiększać zadowolenie klientów, ostatecznie kształtując przyszłość branży elektroniki mocy” - powiedział dr Kazuhide Ino, członek zarządu, dyrektor wykonawczy odpowiedzialny za działalność w zakresie urządzeń mocy w firmie ROHM.
Z kolei Infineon zaadaptuje patenty od ROHM. Dzięki temu koncern rozszerzy ofertę w zakresie podwójnych tranzystorów TO-247 o rozwiązania SiC. To z kolei umożliwi osiągnięcie nawet 2,3 razy wyższej gęstości mocy przy jednoczesnym ograniczeniu nakładów montażowych.
„Cieszymy się, że możemy współpracować z firmą ROHM w celu dalszego przyspieszenia wprowadzania na rynek urządzeń zasilających SiC. Nasza współpraca zapewni klientom szerszy wybór opcji i większą elastyczność w procesach projektowania i zaopatrzenia, umożliwiając im opracowywanie bardziej energooszczędnych zastosowań, które będą dalej napędzać dekarbonizację” - powiedział dr Peter Wawer, prezes działu Green Industrial Power w firmie Infineon.
Obie firmy zapowiedziały, że współpraca może zostać rozszerzona na kolejne typy obudów, obejmujące zarówno technologie krzemowe, jak i bazujące na materiałach o szerokiej przerwie energetycznej, takich jak węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN).
