Indie inwestują pół miliarda USD w półprzewodniki.
Rząd Indii zatwierdził cztery projekty dotyczące półprzewodników w ramach programu India Semiconductor Mission (ISM). Łączna wartości inwestycji to 530 milionów dolarów. Beneficjentami tej decyzji będą firmy SiCSem, CDIL, 3D Glass Solutions oraz ASIP Technologies.
Projekty dotyczące firm SiCSem i 3D Glass zostaną zrealizowane w stanie Odisha we wschodnich Indiach.Z kolei CDIL rozbuduje swoją jednostkę w stanie Pendżab na północy kraju, a zakład ASIP zostanie utworzony w stanie Andhra Pradesh na południu.
Dofinansowanie tych czterech projektów ma stworzyć 2034 miejsca pracy wymagające wysokich kwalifikacji oraz wiele miejsc pracy pośrednich. Rząd Indii inwestuje ogromne pieniądze w półprzewodniki. Łączna wartość inwestycji wszystkich projektów zaakceptowanych w ramach ISM wynosi, bagatela, 19 miliardów dolarów.
W oficjalnym komunikacie do mediów, przedstawiono w co indyjski rząd zainwestuje 530 milionów dolarów:
SiCSem już pracuje z Clas-SiC Wafer Fab (firma z Wielkiej Brytanii) przy budowie zintegrowanego zakładu produkcji półprzewodników złożonych. Inwestycja powstaje w Info Valley (wschodnie Indie). PO zakończeniu prac będzie to pierwsza komercyjna fabryka półprzewodników złożonych w Indiach, o rocznej zdolności produkcyjnej wynoszącej 60 000 wafli oraz zdolności pakowania 96 milionów jednostek.
Firma 3D Glass Solutions również inwestuje w Info Valley na wschodzie Indii. Powstanie tu zintegrowany zakład zaawansowanego pakowania i produkcji osadzonych podłoży szklanych. Obiekt ten wprowadzi do Indii technologię zaawansowanego pakowania, z planowaną roczną zdolnością produkcyjną około 70 000 podłoży paneli szklanych, 50 milionów zmontowanych jednostek oraz 13 200 modułów 3DHI.
ASIP uruchomi jednostkę produkcji półprzewodników w stanie Andhra Pradesh (południowe Indie) we współpracy technologicznej z APACT z Korei Południowej, o rocznej zdolności produkcyjnej wynoszącej 96 milionów jednostek.
CDIL rozbuduje swój zakład produkcji dyskretnych półprzewodników w Mohali, Pendżab (północne Indie). Proponowany zakład będzie produkował wysokiej mocy dyskretne urządzenia półprzewodnikowe, takie jak tranzystory MOSFET, IGBT, diody Schottky’ego i tranzystory, zarówno w technologii krzemowej, jak i węglika krzemu. Roczna zdolność produkcyjna po rozbudowie wyniesie około 158 milionów jednostek.
