reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© grzegorz wolczyk dreamstime.com Przemys艂 elektroniczny | 29 lutego 2016

EUV pojawi si臋 w ci膮gu dwóch lat

D艂ugo oczekiwana litografia w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) pojawi si臋 prawdopodobnie w ci膮gu najbli偶szych dw贸ch lat.
Litografia w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie pozwoli na produkcj臋 uk艂ad贸w scalonych w procesie 7 nanometr贸w. Do uruchomienia masowej produkcji EUV brakuje 藕r贸de艂 艣wiat艂a o odpowiednio du偶ej mocy, a w dodatku dost臋pne 藕r贸d艂a s膮 niewystarczaj膮co stabilne. Fabryki TSMC korzystaj膮 ze 藕r贸de艂 o mocy 85 wat贸w, a w najbli偶szej perspektywie b臋d膮 u偶ywa膰 藕r贸de艂 do 125 W. Z kolei producent urz膮dze艅 do litografii, ASML, dysponuje EUV o mocy 185 W i wkr贸tce planuje osi膮gn膮膰 moc 250 W. Pomimo mo偶liwo艣ci na艣wietlenia 500-600 plastr贸w krzemowych dziennie, nie jest to wydajno艣膰 konkurencyjna dla urz膮dze艅 do litografii zanurzeniowej. Dwu-, trzykrotne zwi臋kszenie wydajno艣ci urz膮dze艅 EUV b臋dzie mo偶liwe ju偶 za dwa lata, co pozwoli na zmniejszenie koszt贸w produkcji drugiej generacji 7-nanometrowych uk艂ad贸w.

EUV charakteryzuje si臋 takimi zaletami jak uproszczenie technologii uk艂ad贸w w technologiach 16 nm i mniejszych oraz redukcja koszt贸w. W litografii zanurzeniowej osi膮gni臋cie tak wysokiej precyzji wymaga wielokrotnego przetwarzania tych samych plastr贸w.

殴r贸d艂o: CEZAMAT
reklama
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
January 17 2019 14:20 V11.11.0-2