reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 04 grudnia 2012

Miniaturowy MOSFET o rezystancji 43 mΩ

Nowe tranzystory MOSFET od Vishay cechują się bardzo niską rezystancją w stanie aktywnym, pracą przy napięciu 4,5 V, a także niewielkimi wymiarami. Połączenie to udało się osiągnąć dzięki technologii TrenchFET.
Firma Vishay zaprezentowała nowe tranzystory typu MOSFET, przeznaczone do pracy przy napięciu 12 i 20 V, które mogą być sterowane napięciem 4,5 V. W ofercie znalazły się MOSFETy z kanałem typu p i n. Wykonane zostały w technologii TrenchFET.

Nowe tranzystorki cechują się niewielką rezystancją przewodzenia, wynoszącą 43 mΩ. Pozwala to na zminimalizowanie strat, przez co komponenty te będą się mniej grzać. Dzięki wsparciu technologii CSP, udało się je zapakować w niewielką obudowę MICRO FOOT o wymiarach nawet 0,8 na 0,4 mm (obudowa najmocniejszego tranzystora w ofercie ma wymiary 1 na 1 mm).

To jednak nie jedyne ich zalety. Oprócz wspomnianej możliwości sterowania napięciem 4,5 V, tranzystory te cechują się także bardzo krótkimi czasami przełączania, poniżej 100 ns. Jeśli chodzi o ich bezpieczeństwo, to producent zapewnia wytrzymałość ESD do 2,5 kV.

Znaleźć mają zastosowanie przede wszystkim w kompaktowych przetwornicach DC/DC, czy też przy sterowaniu niewielkimi elementami mocy. Zastosowań ma być wiele. Komponenty te dostępne powinny być już teraz.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
June 15 2018 00:12 V9.6.1-1