reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 26 października 2012

Tranzystory mocy RF na pasmo 6 GHz

Richardson RFPD wprowadza na rynek nowe tranzystory mocy wykonane w technologii GaN na podłożu SiC. Cechują się wzmocnieniem na poziomie 14 dB i obsługiwaną mocą do 30 W.

Firma Richardson RFPD i TriQuint Semiconductor zaprezentowała nowy tranzystor mocy na pasmo 6 GHz, (pełny zakres od DC do 6 GHz). Stworzono je w procesie 0,25 um TriQuint. Przekłada się to na wykorzystanie technologii GaN na SiC, a dalej na obsługę wysokich mocy i wysoką wydajność drenu. Tranzystory te poradzą sobie bowiem z mocą 30 W. Cechują się ponadto liniowym wzmocnieniem na poziomie 14 dB, przy częstotliwości maksymalnej 6 GHz i przy napięciu 28 V. Optymalizacja budowy tego tranzystora i bardzo dobre parametry pracy pozwolą zredukować koszty budowy systemów radiowych i komunikacyjnych w sprzęcie komercyjnym, przemysłowym, wojskowym, a także w wielu innych aplikacji gdzie istnieje konieczność wzmacniania wysokich częstotliwości. Możliwe jest to dzięki zmniejszeniu liczby tranzystorów o słabszych parametrach, często łączonych równolegle. Omawiane tranzystory typu HEMT (jak opisuje je producent), cechują się również lepszą gospodarką ciepłem, co także może pozwolić na dodatkową redukcję kosztów.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 12 2019 07:31 V14.7.10-1