reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 19 października 2012

Szybkie i gęste pamięci EEPROM obsługujące interfejs I2C

Nowe pamięci EEPROM od Rohm Semiconductor cechują się wysoką gęstością, dochodzącą do 1 Mbit, przy prędkości 1 MHz. Udało się to osiągnąć dzięki strukturze podwójnych komórek pamięciowych, które są dodatkowo chronione podwójnym układem eliminacji błędów.

Firma Rohm Semiconductor wypuszcza swoje nowe niewielkie pamięci EEPROM pracujące z wykorzystaniem interfejsu I2C, za pomocą którego dostaniemy się do funkcji układu, odczytamy dane i je zapiszemy . Pracować ten układ może z prędkością 1 MHz. Inną cechą ma być wysoka gęstość. W ofercie są wersje 512 kb i 1 Mb. Taką gęstość osiągnięto poprzez zastosowanie struktur pamięciowych komórek podwójnych. Aby uniknąć problemów z takim gęstym upakowaniem bitów, zastosowano także układ podwójnej ochrony przed błędami zapisu (znajdziemy tu również inne układy ochrony, jak LVCC). Komórki ułożono w konfiguracji bramki OR, co pozwala na pracę takiego zestawu nawet, gdy jedna z komórek ulegnie awarii. Zwiększono tym samym żywotność. Dane mogą być przepisywane ponad milion razy i przechowywane przez 40 lat. Jest to więc dużo więcej, niż większość podobnych komponentów pamięciowych. Układy te znajdziemy w obudowie SO8 i TSSOP8.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 18 2019 05:19 V13.0.9-2