reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Rob Bouwman / Dreamstime Komponenty | 01 października 2012

Podłoża epitaksjalne z węgliku krzemu

Cree, światowy lider w technologii wytwarzania podłoży z węglika krzemu, wypuścił na rynek podłoża epitaksjalne 4H-SiC typu n o średnicy 150mm.

SiC czyli węglik krzemu to bardzo wydajny materiał półprzewodnikowy, który jest używany do produkcji szerokiej gamy elementów optoelektronicznych, podzespołów dużej mocy, telekomunikacyjnych, itp. Wytwarza się z niego chociażby diody LED, przełączniki mocy czy tranzystory mocy w.cz do zastosowań w technologii bezprzewodowej. Cree, potentat w dziedzinie produkcji podłoży wykonanych z SiC, dostarczał jak dotąd olbrzymich ilości krążków o średnicy 100mm. Nowa, większa średnica wynosząca 150mm pozwala na cięcie kosztów produkcji podzespołów elektronicznych, przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności, a przy tym napędza rozwój branży związanej z węglikiem krzemu. Jak zapewnia produkt manager firmy Cree dr VijayBalakrishna, firma w pełni zaspokaja zapotrzebowanie na podłoża epi gigantów na rynku elektronicznymi zapewnia stałe dostawy produktu wysokiej jakości. Podłoża epitaksjalne 4H-SiC typu n w krążkach o średnicy 150mm są dostępne w limitowanych ilościach.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 12 2019 07:31 V14.7.10-2