Podłoża epitaksjalne z węgliku krzemu

SiC czyli węglik krzemu to bardzo wydajny materiał półprzewodnikowy, który jest używany do produkcji szerokiej gamy elementów optoelektronicznych, podzespołów dużej mocy, telekomunikacyjnych, itp. Wytwarza się z niego chociażby diody LED, przełączniki mocy czy tranzystory mocy w.cz do zastosowań w technologii bezprzewodowej. Cree, potentat w dziedzinie produkcji podłoży wykonanych z SiC, dostarczał jak dotąd olbrzymich ilości krążków o średnicy 100mm. Nowa, większa średnica wynosząca 150mm pozwala na cięcie kosztów produkcji podzespołów elektronicznych, przy jednoczesnym zwiększeniu wydajności, a przy tym napędza rozwój branży związanej z węglikiem krzemu. Jak zapewnia produkt manager firmy Cree dr VijayBalakrishna, firma w pełni zaspokaja zapotrzebowanie na podłoża epi gigantów na rynku elektronicznymi zapewnia stałe dostawy produktu wysokiej jakości. Podłoża epitaksjalne 4H-SiC typu n w krążkach o średnicy 150mm są dostępne w limitowanych ilościach.