© Evertiq
Komponenty |
Lawinowy i niezawodny TrechFET
Firma NXP prezentuje nowy tranzystor MOSFET wykonany w technologii TrenchFET, który posiada certyfikat AEC-Q101. Czyni to z niego komponent o wysokim stopniu niezawodności. Zaprojektowany został dla systemów samochodowych, do pracy w temperaturze do 175 stopni Celsjusza.
Firma NXP wprowadza na rynek nowy tranzystor MOSFET: BUK761R3-30E. Jest to komponent wykonany w technologii TrenchFET o wysokiej niezawodności, czego potwierdzeniem jest zgodność ze standardem AEC-Q101.
Układ został zaprojektowany ponadto do powtarzalnej pracy lawinowej i to w temperaturze dochodzącej do nawet 175 stopni Celsjusza. Jest przeznaczony do wysoko wydajnych systemów samochodowych na napięcie 12 V.
Zastosowaniem mają być elementy sterujące pracą urządzeń elektrycznych i elektryczno-hydraulicznych, sterowanie biegami, lampami i silniczkami, a także jako komponent wchodzący w skład systemu start-stop.
Maksymalne napięcie pracy dren-źródło to 30 V. Dopuszczalny maksymalny prąd drenu sięgnąć może 120 A. Moc rozpraszana może sięgnąć 357 W. Rezystancja dren-źródło to tylko 1,05 mΩ, więc bardzo niewiele. Do załączenia bramki wymaga się ładunku niecałych 50 nC. Zastosowano obudowę SOT404 (D2PAK).
