Wysokonapięciowe MOSFETy z węglika krzemu

Firma ROHM Semiconductor przedstawiła drugą generację swoich tranzystorów MOSFET wykonanych z węglika krzemu SiC. Stworzone zostały z myślą o pracy z wysokim napięciem, dochodzącym do 1,2 kV oraz o redukcji strat mocy w inwerterach. SCH2080KE to pierwsze tranzystory integrujące w sobie SiC SBD. Spadek napięcia udało się zmniejszyć o 70% w stosunku do produktów konkurencji. To właśnie to przede wszystkim pozwala na znaczną redukcję strat mocy, ale także na zmniejszenie liczby komponentów zewnętrznych. Komponenty te mają strać się realną konkurencją dla powszechnie wykorzystywanych tranzystorów krzemowych IGBT. Teraz także MOSFETy mogą pracować z tak dużymi napięciami i mocami, oferując lepsze parametry czasowe (praca z wysokimi częstotliwościami) i dużo mniejsze straty. Rezystancja ON również została pomniejszona, za sprawą ulepszonego procesowi produkcji, pozwalającemu na zmniejszenie defektów kryształowych w warstwach krzemowych. Przeznaczeniem tych tranzystorów mają być głównie falowniki i konwertery przemysłowe, także te stosowane przy energetyce słonecznej.