20 nm w pamięciach LPDDR2

Firma Samsung rozpoczęła produkcję nowych pamięci typu LPDDR2, czyli energooszczędnych pamięci klasy DDR o podwojonym transferze, o pojemności 4 Gb, wykonanych w technologii 20 nm! Jest to kolejny rekord należący do Samsunga w tej klasie urządzeń. Przypominamy, że rok temu Samsung zadziwiał nas produkcją kości DRAM w technologii 30 nm.

Nowa technologia oferować ma większe pojemności i szybszy transfer, przy jednoczesnym zmniejszaniu wymiarów.

Obecnie Samsung jest w stanie dostarczyć nowe moduły pamięciowe o pojemności 2 GB, wykorzystując nową technologię i kości o pojemności 4 Gb wykonane w technologii 20 nm (czyli w sumie 4 takie podzespoły). Przekłada się to na możliwość produkcji bardzo cienkich modułów o grubości nawet poniżej 0,8 mm. Oznacza to, że nowe kości pamięciowe będą o 20 % cieńsze, od układów stworzonych przy wykorzystaniu technologii 30 nm o tej samej pojemności. Nowe moduły 2 GB będą w stanie operować na danych z prędkością 1,066 Gb/s, wykorzystując do tego celu tyle samo energii, co moduły zbudowane z kości wykonanych w technologii 30 nm. Firma Samsung pragnie szybko zastąpić kości o pojemności 2 Gb LPDDR2 stworzonych w technologii 30 nm, nowymi układami, oferującymi większą pojemność, szybszy transfer danych i mniejsze zużycie energii, a także mniejsze wymiary.