reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© franz-pfluegl-dreamstime.com Komponenty | 25 maja 2012

Kompaktowe IGBT do zastosowań stroboskopowych

Firma Advanced Power Electronics zaprezentowała nowy tranzystor IGBT mogący znosić bardzo duże prądu impulsowe o wartości natężenia dochodzącego do 150 A i pracować przy napięciu do 400 V.

Firma Advanced Power Electronics przedstawiła swój najnowszy produkt, czyli tranzystor IGBT przeznaczony do zastosowania w aplikacjach wykorzystujących pracę impulsową, jak np. efekty stroboskopowe, lampy błyskowe, itp. Jest to tranzystor przystosowany do pracy z dużymi prądami impulsowymi, których wartość chwilowa natężenia ma dojść do 150 A. Jeśli zaś chodzi o wytrzymałość napięciową, tranzystory APE mogą obsłużyć napięcie dochodzące do 400 V (V_E), maksymalne napięcie bramka-emiter (V_GEP) to 6 V. Maksymalna moc cieplna, jaka może być rozpraszana przez ten układ to 1 W, gdy temperatura otoczenia wynosi 25 stopni. Tranzystory AP28G40GEO-HF-3 umieszczono w obudowie TSSOP-8.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
May 21 2019 21:58 V13.3.9-1