reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 17 maja 2012

Czwarta generacja tranzystorów TrenchFET

Nowe tranzystory firmy Vishay cechują się bardzo niską rezystancją włączeniową na poziomie 1 mΩ, przy wysterowaniu napięciem 10 V. Do wysterowania tego tranzystora nie jest wymagany duży ładunek, nawet poniżej 22 nC.

Niska rezystancja Rds(on) i niski ładunek załączenia to główne zalety tych tranzystorów.
Firma Vishay zaprezentowała cztery nowe tranzystory wchodzące w skład nowej rodziny TrenchFET czwartej, najnowszej generacji. Typowe napięcie pracy dla tych komponentów to 30 V. Przedstawiono następujące tranzystory, oznaczone symbolami: SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, SiSA04DN. Czym te układy się cechują? Po pierwsze posiadają bardzo niskie rezystancje Rds(on). Wartości owej rezystancji różnią się od siebie w zależności od modelu i napięcia wysterowania bramki. Podsumowując to, można powiedzieć, że są to wartości z zakresu od 1 do 2 mΩ, dla napięcia Vgs = 10 V, i od 1 do 3 mΩ dla napięcia Vgs = 4,5 V. Drugą zaletą tych tranzystorów jest bardzo mały ładunek potrzebny do załączenia tych tranzystorów. Przykładowo, w zależności od modelu, odpowiednio do wyżej przedstawionej kolejności komponentów, wartości te wahają się od 66 do 22 nC (Qg, przy Vgs = 4,5 V). Wszystkie komponenty umieszczono w obudowie PowerPAK SO8. Poza wyżej wymienionymi zaletami, producent deklaruje wysoką gęstość prądową, przy tak małej obudowie. W porównaniu do komponentów konkurencyjnych o podobnych parametrach, nowe tranzystory Vishay są o 60% mniejsze. Wymiary to około 3 na 3 mm. Pierwsze próbki są już dostępne i można składać na nie zamówienia. Masowa produkcja/sprzedaż ma się rozpocząć na dniach.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 22 2019 20:26 V14.6.0-1