Nowoczesny scalony sterownik tranzystorów FET GaN

Firma Texas Instruments stworzyła nowy sterownik tranzystorów MOSFET i mocy FET, które zostały wykonane z azotku galu. Jest to układ typu „low-side” oznaczony symbolem LM5114. Pracować ma w niskonapięciowych konwerterach, takich jak prostowniki synchroniczne, układy korekcyjne współczynnika mocy, systemach kontroli silników elektrycznych i wielu innych. Oferować ma przy tym pełną izolację obwodów (do 1600 V), z czego część mocowa pracować może z napięciem dochodzącym do 100 V. Układ powinien być zasilany napięciem od 4 do 12,6 V. Wejścia pracują nominalnie w standardzie TTL,można jednak stosować wyższe napięcia, do 14 V maksymalnie. Wydajność prądowa chwilowa sięga 7,8 A, lecz w przypadku pracy ciągłej wartość prądu wyjściowego nie powinna przekraczać 1,3 A. Sterownik umieszczany jest w dwóch obudowach: SOT23 i LLP-6. Dodatkowymi cechami tego układu jest niska rezystancja wyjściowa. Może pracować w rozszerzonym zakresie temperaturowym, od -40 do 125 stopni Celsjusza. Rozkład wyprowadzeń zgodny jest z MAX5048.