Komponenty |
Superszybkie tranzystory IGBT na duże moce
Nowe tranzystory IGBT od Toshiby przeznaczone mają być do bardzo szybkiej (impulsowej) pracy z bardzo dużymi mocami (napięcie do 1350 V, a prąd do 40 A). Są małe, a przy tym posiadają odpowiednie zabezpieczenia.
Firma Toshiba wypuszcza na rynek nowe tranzystory IGBT z kanałem wzbogaconym typu N. Ich przeznaczeniem jest praca impulsowa. Tranzystory te oznaczono symbolem GT40RR21. Producent zaprojektował je tak, by były w stanie pracować w wysokiej temperaturze, co czyni je odpowiednimi do pracy w urządzeniach grzewczych.
Tranzystory te są również zaprojektowane w taki sposób, by zaoszczędzić miejsce, integrując w sobie wydajne diody zwrotne. Przeznaczone są do pracy z napięciem dochodzącym do 1350 V. Prąd ciągły, jaki można przez nie przepuścić to 40 A.
W przypadku pracy impulsowej, prąd chwilowy, jaki można przepuścić przez te tranzystory może dojść do 200 A przez czas nieprzekraczający 3 us. Wartymi uwagi są również małe straty – średnio 0,30 mJ w temperaturze 25 stopni Celsjusza (w podwyższonej temperaturze, 125 stopni Celsjusza, straty te wynoszą 0,54 mJ). Napięcie nasycenia to 2.0 V.
Tranzystory te umieszczono w obudowach TO-3P(N) i kompatybilnej z TO-247, o wymiarach 15 na 20 mm i o grubości 4,5 mm. Pierwsze próbki nowych tranzystorów dostępne są już teraz, ale sprzedaż hurtowa rozpocznie się dopiero w trzecim kwartale tego roku.
