reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Alexander Podshivalov/dreamstime.com Komponenty | 29 grudnia 2011

Niesamowicie niskoszumowy bipolarny tranzystor heteroz艂膮czowy

Firma Renesas wprowadzi艂a do swojej oferty nowoczesne niskoszumowe tranzystory heteroz艂aczowe. Wsp贸艂czynnik szum贸w jest o oko艂o 30% mniejszy, ni偶 w najlepszych tranzystorach HBT produkowanych do tej pory.
Firma Renesas zaprezentowa艂a nowe tranzystory niskoszumowe. S膮 to tranzystory heteroz艂膮czowe bipolarne, kt贸re zosta艂y wykonane na pod艂o偶u SiGeC. Nowa tu o elemencie oznaczonym przez producenta jako: NESG7030M04. Ten wyj膮tkowy tranzystor zosta艂 zaprojektowany do niskoszumowych wzmacniaczy wysokich cz臋stotliwo艣ci i wysokiej klasy, o bardzo wysokim stopniu czu艂o艣ci. Przeznaczeniem maj膮 by膰 uk艂ady komunikacji bezprzewodowej WLAN (WiFi), czy te偶 odbiorniki sygna艂贸w satelitarnych (np. GPS). Wsp贸艂czynnik szum贸w jest rekordowo ma艂y, bo wynosi zaledwie 0,75 dB przy cz臋stotliwo艣ci pracy oko艂o 5,8 GHz. Inne tranzystory podobnej konstrukcji (SiGe HBT) wykazuj膮 ten wsp贸艂czynnik na poziomie oko艂o 1,1 dB. Tranzystor przeznaczony jest na cz臋stotliwo艣ci od kilku MHz do nawet 14 GHz, wykazuj膮c w tym zakresie bardzo stabilne parametry pracy. Opr贸cz niskiego poziomu szum贸w, nowy tranzystor heteroz艂aczowy od Renesas cechuje si臋 wzmocnieniem maksymalnym dochodz膮cym do 14 dB, przy napi臋ciu V_CE wynosz膮cym 2 V i przy pr膮dzie kolektora I_C na poziomie 7 mA.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-2