Ultraszybkie tranzystory IGBT

Firma International Rectifier (IRF) wypuściła tranzystory IGBT o oznaczeniu IRG7PH35UD1 i IRG7PH42UD1. Przeznaczone są do pracy impulsowej przy przełączaniu dużych mocy. Ich napięcie znamionowe wynosi bowiem 1200 V, a maksymalny prąd przewodzenia to 20 i 30 A. Dzięki niskiemu napięciu V_CE(on) i krótkim czasom załączania/wyłączania (mniejszym od średniej tego typu tranzystorów), generują niewielkie straty mocy podczas pracy impulsowej. Możliwe to było dzięki zintegrowaniu diod regeneracyjnych wewnątrz obudowy elementu. Wspomniane napięcie zawiera się w przedziale od 1,9 do 1,7, zależnie od modelu. Przeznaczone są do pracy z systemami grzewczymi, chociaż z powodzeniem mogą poradzić sobie w innych zastosowaniach. Rezystancja termiczna to jedynie 0,7 °C/W. Dostępność Tranzystory umieszczono w obudowach TO-247, a ich cena hurtowa, przy zamówieniu 10 tysięcy sztuk, to 2,76 USD. © IR