reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 20 grudnia 2011

Ultraszybkie tranzystory IGBT

Nowe tranzystory IGBT firmy IRF s膮 w stanie przewodzi膰 pr膮d o nat臋偶eniu do 20 A. Napi臋cie znamionowe pracy to nawet 1200 V. Przeznaczone s膮 do szybkiego prze艂膮czania (np. przy pracy w systemach grzewczych).
Firma International Rectifier (IRF) wypu艣ci艂a tranzystory IGBT o oznaczeniu IRG7PH35UD1 i IRG7PH42UD1. Przeznaczone s膮 do pracy impulsowej przy prze艂膮czaniu du偶ych mocy. Ich napi臋cie znamionowe wynosi bowiem 1200 V, a maksymalny pr膮d przewodzenia to 20 i 30 A. Dzi臋ki niskiemu napi臋ciu V_CE(on) i kr贸tkim czasom za艂膮czania/wy艂膮czania (mniejszym od 艣redniej tego typu tranzystor贸w), generuj膮 niewielkie straty mocy podczas pracy impulsowej. Mo偶liwe to by艂o dzi臋ki zintegrowaniu diod regeneracyjnych wewn膮trz obudowy elementu. Wspomniane napi臋cie zawiera si臋 w przedziale od 1,9 do 1,7, zale偶nie od modelu. Przeznaczone s膮 do pracy z systemami grzewczymi, chocia偶 z powodzeniem mog膮 poradzi膰 sobie w innych zastosowaniach. Rezystancja termiczna to jedynie 0,7 掳C/W. Dost臋pno艣膰 Tranzystory umieszczono w obudowach TO-247, a ich cena hurtowa, przy zam贸wieniu 10 tysi臋cy sztuk, to 2,76 USD. 漏 IR
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-1