reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Diodes Incorporated Komponenty | 05 grudnia 2011

MOSFETy o mocy 1 W w obudowach SMD

Diodes Inc zaprezentowa艂o now膮 seri臋 tranzystor贸w MOSFET w niewielkich obudowach DFN. S膮 ma艂e, tanie i zdolne do rozpraszania mocy do 1 W. Dzi臋ki ma艂ej warto艣ci RDS_on s膮 one lepsze, ani偶eli konstrukcje w obudowach SOT723.
Firma Diodes Incorporated przedstawi艂a nowe tranzystory typu MOSFET, kt贸re umieszczono w miniaturowej obudowie DFN1212-3. S膮 w stanie rozproszy膰 energi臋 ciepln膮 o mocy 1 W. Jest to mo偶liwe dzi臋ki efektywnej warto艣ci rezystancji termicznej: 130 掳C/W. Obudowa zajmuje powierzchni臋 oko艂o 1,44 mm2, a wysoko艣膰 komponentu to zaledwie 0,5 mm. Nada si臋 wi臋c doskonale do niewielkich urz膮dze艅, gdzie g臋sto upakowane komponenty elektroniczne s膮 norm膮. Przyk艂ad zastosowania tych tranzystor贸w to np. kamery, aparaty fotograficzne, tablety, smartphony i wiele innych, gdzie liczy si臋 zaj臋ta przestrze艅 i wysoka wydajno艣膰. DMN2300UFD to MOSFET z kana艂em N, natomiast DMP21D0UFD to MOSFET z kana艂em typu P. Ma艂e straty cieplne mo偶liwe s膮 dzi臋ki bardzo ma艂ej rezystancji RDS_on o warto艣ci 400 m惟. Tranzystor mo偶e pracowa膰 z napi臋ciami od 20 do 60 V, za艣 sama bramka mo偶e by膰 sterowana napi臋ciem 1,8 V. Dost臋pno艣膰 MOSFET z kana艂em typu N kosztuje oko艂o 0,1 USD za sztuk臋, a tranzystor z kana艂em typu P dost臋pny b臋dzie za cen臋 0,11 USD. Ceny dotycz膮 zam贸wie艅 hurtowych w liczbie 10'000 sztuk.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-2