Bawełniane tranzystory

Annalisa Bonfiglio wraz z zespołem, z Uniwersytetu Cagliari we Włoszech odkryła jak podnieść konduktywność włókien bawełnianych tak, aby można było z nich tworzyć elementy półprzewodnikowe, takie jak tranzystory. Chodzi o to, by pokryć włókna bawełniane nanocząsteczkami złota, które połączono z przewodzącymi polimerami. To bramka tranzystora. Dalej pokrywa się to kolejną warstwą polimeru. Elektrodami są końcówki włókien pokryte warstwą srebra. Tak stworzone tranzystory posiadają właściwości typowego włókna bawełnianego,czyli są giętkie i nie podrażnią naszej skóry. Pozwoli to tworzyć prawdziwie elektroniczne ubrania o dowolnych niemalże funkcjach. Należy jednak brać pod uwagę dużo mniejszą wydajność - moc obliczeniową tak tworzonych układów. Jednakże do prostych zadań, jak zliczanie, tak stworzone tranzystory się nadadzą, choć niewykluczone, że ich sprawność w niedługim czasie ulegnie poprawie.