reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 09 czerwca 2011

Szósta generacja MOSFETów mocy

Nowej grupie tranzystorów MOSFET zwiększono zakres napięciowy pracy oraz wydajność, co przyczynić się ma do tego, że zostaną z powodzeniem wykorzystane w nowoczesnych falownikach ogniw słonecznych, czy też w urządzeniach sieciowych i serwerach.

Nowe tranzystory rodziny STripFET VI DeepGATE firmy STMicroelectronics, należą do grupy MOSFETów o ulepszonych parametrach pracy. Oprócz oczywistych poprawek pod względem wydajności, tranzystorom tym zwiększono zakres napięciowy, na którym mogą operować do 80V. Zastosowana technologia STripFET uległa usprawnieniom. Kolejne dotyczą poprawy własności energetycznych, poprzez redukcję strat i wymaganego prądu do załączenia tranzystorów. Technologia DeepGATE powoduje, że rezystancja bramkowa jest bardzo niska. Pozwala to wszystko na podniesienie sprawności i redukcję strat, dzięki czemu możliwe jest tworzenie mniejszych gabarytowo komponentów i podniesienie sprawności całych urządzeń wyposażanych w te MOSFETy. Pierwsze pięć tranzystorów zostanie wypuszczone na rynek na dniach. Będą to komponenty o następujących oznaczeniach: STP260N6F6 i STH260N6F6-2 (60V), STP210N75F6 i STH210N75F6-2 (jako wersje 75V, oraz STL75N8LF6 (na 80V).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 12 2019 07:31 V14.7.10-1