reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Cree Komponenty | 21 marca 2011

Pierwszy krzemowo w臋glowy MOSFET

Wygl膮dana na to, 偶e zapowiadane ju偶 wcze艣niej, nowe tranzystory mocy oparte o materia艂 SiC wchodz膮 na rynek. MOSFETy oparte o ten zwi膮zek, maj膮 si臋 sta膰 powszechne w ci膮gu kilku najbli偶szych lat.
Nowe tranzystory zaprezentowa艂a firma Cree, specjalizuj膮ca si臋 do tej pory w innowacyjnych rozwi膮zaniach LED. Przedstawione przez ni膮 tranzystory, nosz膮ce nazw臋 CMF20120D s膮 tranzystorami mocy nowej generacji, charakteryzuj膮ce si臋 wysokim napi臋ciem przewodzenia, wynosz膮cym nawet 1200V. Obecny produkt zastosowany ma by膰 w urz膮dzeniach takich jak falowniki w energetyce s艂onecznej, zasilacze wysokich napi臋膰 oraz wiele innych podobnych rozwi膮za艅 przemys艂owych zwi膮zanych ze sporymi napi臋ciami. Firma prognozuje jednak, 偶e ju偶 wkr贸tce tranzystory mocy oparte o SiC stosowa膰 b臋dzie mo偶na wsz臋dzie, od uk艂ad贸w sterowania, trakcji, pojazd贸w elektrycznych po energetyk臋 wiatrow膮. Rezystancja przewodzenia (dren-藕r贸d艂o) wynosi ok 80m惟, a przy wzro艣cie temperatury, pozostaje na poziomie nie przekraczaj膮cym rezystancji 100m惟. Spadek napi臋cia przy pr膮dzie 20A wynosi oko艂o 2V. W por贸wnaniu do IGBT, nowe tranzystory maj膮 zapewnia膰 wzrost wydajno艣ci o 2% oraz od 2 do 4 razy szybsze prze艂膮czanie oraz wy艂膮czanie tranzystora, co w sumie skutkuje sprawno艣ci膮, nowych urz膮dze艅, wynosz膮c膮 do 99%. W strukturze nowych tranzystor贸w wykorzystano tak偶e diody Schootky o napi臋ciach 600V, 1200V i 1700V, zale偶nie od modelu komponentu.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-1