reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 22 października 2019

SDRAM DDR4 4 Gb na 1.2 V dla urządzeń mobilnych

Nowe kości pamięciowe DDR4 od Alliance Memory cechują się większą wydajnością i prędkością przesyłania danych oraz niższym zużyciem energii, niż starsze DDR3. Korzyści są spore. Stworzono je z myślą o urządzeniach mobilnych.

Firma Alliance Memory rozszerzyła swoją ofertę o nową linię szybkich pamięci CMOS DDR4 SDRAM. W porównaniu z układami DDR3 poprzedniej generacji, nowe pamięci o pojemności 4 Gb, oznaczone symbolami AS4C256M16D4 i AS4C512M8D4, oferują niższe zużycie energii i szybsze przesyłanie danych Napięcie pracy, w porównaniu z pamięciami typu DDR3, udało się zmniejszyć z 1.5 do 1.2 V (+/- 0.06 V). Ma to pomóc w wydłużeniu czasu pracy urządzeń pracujących przy zasilaniu z baterii lub akumulatorów. Przykładem mogą być notebooki, tablety, smartfony, itp. Komponenty te oferują 16-banków pamięci, w celu poprawy wydajności, osadzonych w strukturach 16 x 256 Mb oraz 8 x 512 Mb, odpowiednio dla pierwszego i drugiego z wyżej wymienionych. Wspierają przy tym wysokie częstotliwości taktowania, do 1333 MHz, dla zapewnienia jeszcze większych prędkości transferowych, do nawet 2666 Mb/s. Nowe pamięci mają być dostępne w obudowach typu FBGA, z 96 lub 78 wyprowadzeniami kulkowymi. Pracować mogą w temperaturze od -40 do 95 stopni Celsjusza, w najmocniejszej wersji (standardowa wersja od 0 stopni).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 11 2019 16:34 V14.7.10-1